[发明专利]ESD装置的触点阵列优化

权利要求书

1.一种半导体制造方法，其包括：

根据选定工艺技术，在半导体衬底中形成有源区域作为静电放电ESD保护电路的一部分；

在所述有源区域之上形成电介质层；

使所述电介质层图案化以限定与所述有源区域重叠的触点孔口，所述触点孔口各自具有基于所述ESD保护电路的ESD保护参数的大小；以及

沉积金属组合物来填充所述触点孔口，以提供所述有源区域与沉积在所述电介质层之上的金属层之间的导电路径，

其中使用触点层掩模将所述触点孔口限定为阵列，所述触点层掩模针对所述阵列的外围环形区的触点孔口的子集具有孔口大小，所述孔口大小大于所述选定工艺技术中指定的大小、但符合与所述选定工艺技术相关联的临界尺寸CD规则和设计规则检查DRC。

2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中所述ESD保护参数包括从由以下各项组成的群组中选出的电气参数：触点放电参数、气隙放电参数、瞬变电流密度参数及其组合。

3.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中填充所述触点孔口的所述金属组合物包括基于钨的组合物。

4.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中将所述触点孔口被界定为使用触点层掩模的阵列，所述触点层掩模针对所述阵列的每一触点孔口具有孔口大小，所述孔口大小大于所述选定工艺技术中指定的大小、但符合与所述选定工艺技术相关联的临界尺寸CD规则和设计规则检查DRC。

5.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中将所述触点孔口界定为使用触点层掩模的阵列，每一触点孔口具有矩形形状且以错开阵列排列。

6.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中将所述触点孔口界定为使用触点层掩模的阵列，所述阵列具有不含任何触点孔口的至少一拐角，每一触点孔口具有大于所述选定工艺技术中指定的大小、但符合与所述选定工艺技术相关联的临界尺寸CD规则和设计规则检查DRC的孔口大小。

7.根据权利要求6所述的半导体制造方法，其中所述触点孔口阵列由沿所述阵列的外围定位的连续沟槽触点孔口环绕。

8.根据权利要求7所述的半导体制造方法，其中所述触点孔口阵列具有从由多边形形状、环形形状和椭圆形形状组成的群组选出的形状。

9.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中将所述触点孔口界定为排列成多个同心圆的连续沟槽触点孔口。

10.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中将所述触点孔口界定为排列成多个同心轨迹的连续沟槽触点孔口。

11.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中所述有源区域包括形成于所述半导体衬底中的n阱区或p阱区。

12.一种集成电路，其包括：

有源区域，其根据选定工艺技术在半导体衬底中形成为静电放电ESD保护电路的一部分；

所述有源区域之上的电介质层；

金属层，其安置于所述电介质层上；以及

触点结构，其形成于所述有源区域与所述金属层之间，所述触点结构具有触点孔口，其穿过所述电介质层图案化且填充有金属组合物，以提供所述有源区域与所述金属层之间的电气导电路径，所述触点孔口各自具有基于所述ESD保护电路的ESD保护参数的大小，

其中将所述触点孔口界定为使用触点层掩模的阵列，所述触点层掩模针对所述阵列的外围环形区的触点孔口的子集具有孔口大小，所述孔口大小大于所述选定工艺技术中指定的大小、但符合与所述选定工艺技术相关联的临界尺寸CD规则和设计规则检查DRC。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其中所述ESD保护参数包括从由以下各项组成的群组中选出的电气参数：触点放电参数、气隙放电参数、瞬变电流密度参数及其组合。