[发明专利]射频滤波器

权利要求书

1.一种射频滤波器(100)，包括：

具有第一模式(1a)、第二模式(2a)和第一寄生模式(Sa)的第一双模谐振器(102)，其中所述第一双模谐振器(102)包括将所述第一模式(1a)耦合到所述第一寄生模式(Sa)的第一内耦合元件(112)；

具有第三模式(3b)和第四模式(4b)的第二双模谐振器(104)；以及

设置在所述第一双模谐振器(102)和所述第二双模谐振器(104)之间的互耦合元件(106)，所述互耦合元件(106)将所述第一模式(1a)耦合到所述第四模式(4b)，将所述第二模式(2a)耦合到所述第三模式(3b)，并且将所述第一寄生模式(Sa)耦合到所述第三模式(3b)；

其中，所述第一内耦合元件(112)设置在所述第一双模谐振器(102)的第一侧(134)和第二侧(136)之间的边界区域处，在所述边界区域，所述第一寄生模式(Sa)和所述第一模式(1a)的磁场线至少部分地平行；

其中，所述第二双模谐振器(104)具有第二寄生模式(Sb)，并且包括将所述第二寄生模式(Sb)耦合到所述第三模式(3b)的第二内耦合元件(132)；

其中，所述互耦合元件(106)还将所述第一寄生模式(Sa)耦合到所述第二寄生模式(Sb)；

其中，所述第一双模谐振器(102)和所述第二双模谐振器(104)以其各自的中心沿共同的中心轴(126)设置，所述互耦合元件(106)包括以所述共同的中心轴(126)为中心的第一细长虹膜(128)和垂直于所述第一细长虹膜(128)并且从所述共同的中心轴(126)偏移的第二细长虹膜轴(130)；所述互耦合元件(106)包括第三细长虹膜(138)，所述第三细长虹膜(138)平行于所述第二细长虹膜(130)设置，并且在所述中心轴(126)相对于所述第二细长虹膜(130)的相对侧上从所述中心轴(126)移动。

2.根据权利要求1所述的射频滤波器(100)，

其中，沿所述共同的中心轴(126)，所述第一寄生模式(Sa)的磁场强度处于其最小值并且所述第一寄生模式(Sa)的电场强度处于其最大值。

3.根据权利要求1或2所述的射频滤波器(100)，

其中所述第二细长虹膜(130)在所述第一细长虹膜(128)的长度分量的方向上从所述共同的中心轴(126)偏移；

其中所述第一细长虹膜(128)和所述第二细长虹膜(130)彼此连接，或者在所述第一细长虹膜(128)和所述第二细长虹膜(130)之间设置间隙。

4.根据权利要求1或2所述的射频滤波器(100)，

其中所述第一细长虹膜(128)的长度分量与所述第二模式(2a)的电场矢量平行设置；

其中所述第二细长虹膜(130)的长度分量与所述第一模式(1a)的电场矢量平行设置。

5.根据权利要求1所述的射频滤波器(100)，

其中所述第一内耦合元件(112)是凹口、至少一个局部倒角和至少一个局部切口中的一个。

6.根据权利要求1所述的射频滤波器(100)，其中所述第二内耦合元件(132)是凹口、至少一个局部倒角和至少一个局部切口中的一个。

7.根据权利要求1、2、5和6中任一项所述的射频滤波器(100)，其中所述第一模式(1a)、所述第二模式(2a)、所述第三模式(3b)和所述第四模式(4b)一起形成滤波器通带，并且其中所述第一寄生模式(Sa)的频率和所述第二寄生模式(Sb)的频率在所述滤波器通带之外。

8.根据权利要求1、2、5和6中任一项所述的射频滤波器(100)，其中所述第一寄生模式(Sa)的电场矢量和所述第二寄生模式(Sb)的电场矢量中的至少一个平行于所述共同的中心轴(126)。

9.根据权利要求1、2、5和6中任一项所述的射频滤波器(100)，其中所述第一双模谐振器(102)包括将所述第一模式(1a)耦合到所述第二模式(2a)的第三内耦合元件(154)。