[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其包括：

通过对衬底供给原料气体而在所述衬底上形成无定形状态的晶种层的工序；

通过对所述晶种层进行热处理而使所述晶种层多晶化的工序；和，

通过将下述循环实施规定次数而在经多晶化的所述晶种层上形成氧化膜、并且将经多晶化的所述晶种层氧化的工序，所述循环为非同时地实施对所述衬底供给所述原料气体的工序、和对所述衬底供给含氧气体及含氢气体的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述原料气体包含卤元素。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述原料气体包含卤元素、和半金属元素或金属元素。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述原料气体包含卤元素和硅。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使形成所述晶种层的工序中的所述原料气体的供给时间长于形成所述氧化膜的工序中的每一循环的所述原料气体的供给时间。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使形成所述晶种层的工序中的所述衬底的温度低于形成所述氧化膜的工序中的所述衬底的温度。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使形成所述氧化膜的工序中的所述衬底的温度为使所述晶种层多晶化的工序中的所述衬底的温度以上的温度。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述多晶化的工序中，对所述处理室内的所述衬底供给N₂气体。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使在形成所述晶种层的工序中形成的所述晶种层的厚度为在形成所述氧化膜的工序中至少经多晶化的所述晶种层被完全氧化的厚度以上。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使在形成所述晶种层的工序中形成的所述晶种层的厚度比在形成所述氧化膜的工序中未多晶化的所述晶种层被完全氧化的厚度薄。

11.衬底处理装置，其具备：

处理室，其进行对衬底的处理；

原料气体供给系统，其对所述处理室内的衬底供给原料气体；

含氧气体供给系统，其对所述处理室内的衬底供给含氧气体；

含氢气体供给系统，其对所述处理室内的衬底供给含氢气体；

加热器，其对所述处理室内的衬底进行加热；和

控制部，其构成为以在所述处理室内进行下述处理的方式控制所述原料气体供给系统、所述含氧气体供给系统、所述含氢气体供给系统、及所述加热器：通过对衬底供给所述原料气体而在所述衬底上形成无定形状态的晶种层的处理；通过对所述晶种层进行热处理而使所述晶种层多晶化的处理；和通过将下述循环实施规定次数而在经多晶化的所述晶种层上形成氧化膜、并且将经多晶化的所述晶种层氧化的处理，所述循环为非同时地实施对所述衬底供给所述原料气体的处理、和对所述衬底供给含氧气体及含氢气体的处理。

12.程序，其通过计算机而使衬底处理装置执行下述步骤：

通过对衬底处理装置的处理室内的衬底供给原料气体而在所述衬底上形成无定形状态的晶种层的步骤；

通过在所述处理室内对所述晶种层进行热处理而使所述晶种层多晶化的步骤；和

通过将下述循环实施规定次数而在经多晶化的所述晶种层上形成氧化膜、并且将经多晶化的所述晶种层氧化的步骤，所述循环为非同时地实施对所述处理室内的所述衬底供给所述原料气体的步骤、和对所述衬底供给含氧气体及含氢气体的步骤。