[发明专利]通过ALD进行涂覆以用于抑制金属晶须

权利要求书

1.一种减少金属晶须形成、电迁移和腐蚀的沉积方法，包括：

提供衬底；

通过清洁预处理所述衬底；

通过预加热和/或排气预处理所述衬底；以及

沉积叠层，包括通过原子层沉积ALD来沉积至少第一层(100)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中沉积步骤包括以至少一种还原性化学物质开始的第一脉冲。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中沉积步骤包括由一种或多种还原性化学物质的多个脉冲组成的第一脉冲，所述多个脉冲由所述多个脉冲之间的惰性气体脉冲跟随。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述金属包括Zn、Sn、Cd或Ag。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中丝型金属晶须的形成被减少或被防止。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述衬底包括印刷电路板PCB；部件；部件壳体；或金属壳体。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中沉积所述叠层进一步包括：通过原子层沉积ALD来沉积由不同子层组成的第二层(200)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二层(200)由至少一个弹性子层组成。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述第二层(200)由至少一个有机子层或含硅氧烷聚合物的子层组成。

10.根据权利要求7至9中的任一项所述的方法，其中层200包括至少一个电绝缘材料子层。

11.根据权利要求7至10中的任一项所述的方法，其中至少一个子层是硬质层。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中沉积所述叠层进一步包括：通过原子层沉积ALD沉积第三层(300)。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中通过预加热预处理所述衬底包括：用温度高于反应温度的加热气体的脉冲来预加热。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中至少一层包括能与环境反应的至少一种反应性化学物质。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：替代所述第二层(200)或者除了所述第二层(200)之外，沉积包含至少一个包括碳纳米管、碳纳米管网或石墨烯网络的子层的层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中包括碳纳米管、碳纳米管网或石墨烯网络的所述子层涂覆有电绝缘材料。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述叠层的厚度为1-2000nm，优选50-500nm，最优选100-200nm。

18.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：改变、停止或限制前级管道排放流。

19.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：利用进一步的涂覆方法在所述叠层的顶部提供进一步的涂层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述进一步的涂层包括聚合物或硅氧烷聚合物，诸如漆。

21.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述清洁包括ALE脉冲。