[发明专利]将加工物质与掺杂剂植入工件的方法及用于工件的设备

权利要求书

1.一种将加工物质植入工件的方法，其特征在于，包括：

在腔室中对包含加工物质及氟的第一源气体、包含硅烷或锗烷的第二源气体以及氖供能，以在所述腔室中形成等离子体；以及

自所述等离子体提取离子并将所述离子植入所述工件，其中与不使用氖时的基线相比，通过选择引入所述腔室的氖的体积的量使得自所述等离子体提取且植入至所述工件的纯加工物质离子的数量占所有含加工物质的离子的百分比增加了5%至20%。

2.根据权利要求1所述的将加工物质植入工件的方法，其特征在于，所述离子被引向所述工件且未进行质量分析。

3.根据权利要求1所述的将加工物质植入工件的方法，其特征在于，与所述基线相比，自所述等离子体提取且植入至所述工件的所述纯加工物质离子的所述数量占所述所有含加工物质的离子的百分比增加了10%至20%。

4.根据权利要求1所述的将加工物质植入工件的方法，其特征在于，与所述基线相比，自所述等离子体提取且植入至所述工件的氟离子的数量对所述纯加工物质离子的所述数量的比率减小了6%至20%。

5.根据权利要求1所述的将加工物质植入工件的方法，其特征在于，与所述基线相比，植入至所述工件的所述纯加工物质离子的射束电流增加了10%至20%。

6.根据权利要求1所述的将加工物质植入工件的方法，其特征在于，氖构成引入至所述腔室中的总气体的体积的20%至90%。

7.根据权利要求1所述的将加工物质植入工件的方法，其特征在于，所述第一源气体包含BF₃或B₂F₄。

8.一种将掺杂剂植入工件中的方法，其特征在于，包括：

在腔室中对包含硼及氟的第一源气体、包含硅烷或锗烷的第二源气体以及氖供能，以在所述腔室中形成等离子体；以及

使来自所述等离子体的离子朝所述工件加速并将所述离子植入所述工件，且未使用质量分析，

其中引入至所述腔室的气体的总体积的20%与90%之间包含氖，且其中与不使用氖时的基线相比，氖的量使得植入至所述工件的纯含硼离子的射束电流增加了5%至20%。

9.根据权利要求8所述的将掺杂剂植入工件中的方法，其特征在于，所述引入的气体的所述总体积的25%与50%之间包含氖。

10.一种用于加工工件的设备，其特征在于，包括：

离子源，具有由腔室壁界定的腔室，其中所述离子源在所述腔室中产生等离子体；

第一源气体容器，含有硼及氟，与所述腔室连通；

第二源气体容器，含有硅烷或锗烷，与所述腔室连通；

第三源气体容器，含有氖，与所述腔室连通；以及

用以保持所述工件的工件支撑件，其中与不使用氖时的基线相比，所述用于加工工件的设备以足以使自所述等离子体提取的纯含硼离子的量占所有含加工物质的离子的百分比增加5%至20%的量，将氖的体积的量引入至所述腔室中。

11.根据权利要求10所述的用于加工工件的设备，其特征在于，来自所述等离子体的离子朝所述工件加速且被植入至所述工件的所述离子未进行质量分析。

12.根据权利要求10所述的用于加工工件的设备，其特征在于，引入至所述腔室的气体的总量的20%至90%包含氖。