[发明专利]使用反熔丝存储器阵列的PUF值生成

权利要求书

1.一种物理不可克隆功能PUF值生成系统，包括：

一对基于电介质击穿的反熔丝存储器单元，每个反熔丝存储器单元具有彼此电耦合以用于接收第一电压的第一端子和彼此电耦合以用于接收第二电压的第二端子，以启用对所述一对反熔丝存储器单元中的随机一个反熔丝存储器单元的编程；以及

限流电路，被配置为在编程操作期间在所述第二端子耦合到所述第二电压时将所述第一电压耦合到所述第一端子，所述限流电路被配置为在所述编程操作期间所述一对反熔丝存储器单元中的第一反熔丝存储器单元形成导电链路之后基于所述第一端子处的电压改变而在所述第一电压与所述第一端子之间提供电压差，所述导电链路从所述限流电路向所述第二端子传导电流，其中所述电压差抑制对所述一对反熔丝存储器单元中的第二反熔丝存储器单元的编程。

2.根据权利要求1所述的PUF值生成系统，其中所述第一端子是所述反熔丝存储器单元的栅极端子，并且所述第二端子是所述反熔丝存储器单元的彼此电耦合的扩散接触件。

3.根据权利要求2所述的PUF值生成系统，其中所述第一电压是编程电压，并且所述第二电压是VSS。

4.根据权利要求3所述的PUF值生成系统，其中所述限流电路包括将所述编程电压耦合到所述栅极端子的字线驱动器电路的晶体管，并且所述电压差是所述栅极端子相对于所述编程电压的电压降。

5.根据权利要求4所述的PUF值生成系统，其中所述限流电路进一步包括用于提供所述编程电压的电压发生器。

6.根据权利要求3所述的PUF值生成系统，其中所述限流电路包括用于向所述栅极端子提供所述编程电压的电压发生器。

7.根据权利要求3所述的PUF值生成系统，其中所述限流电路包括将VSS耦合到所述扩散接触件的写入驱动器电路的晶体管，并且所述电压差是所述扩散接触件相对于VSS的电压降。

8.根据权利要求3所述的PUF值生成系统，其中所述栅极端子并联连接到由字线驱动器电路驱动的字线，并且所述扩散接触件连接到相应的位线。

9.根据权利要求8所述的PUF值生成系统，其中列访问电路系统被配置为选择性地将所述位线彼此耦合并且耦合到所述限流电路。

10.根据权利要求8所述的PUF值生成系统，其中所述限流电路包括所述字线驱动器电路。

11.根据权利要求3所述的PUF值生成系统，其中所述第一反熔丝存储器单元的栅极端子和所述第二反熔丝存储器单元的栅极端子连接到同时激活的不同字线驱动器电路，并且所述扩散接触件连接到公共位线。

12.根据权利要求11所述的PUF值生成系统，其中列访问电路系统被配置为选择性地将所述公共位线耦合到所述限流电路。

13.一种物理不可克隆功能PUF值生成方法，包括：

向彼此电耦合的一对反熔丝存储器单元的第一端子施加第一电压；

向彼此电耦合的所述一对反熔丝存储器单元的第二端子施加第二电压，所述第一电压和所述第二电压对于编程反熔丝存储器单元是有效的；

响应于所述第一电压和所述第二电压而在所述一对反熔丝存储器单元中的第一反熔丝存储器单元中形成导电链路，以从所述第一端子向所述第二端子传导电流；以及

响应于从所述第一端子向所述第二端子传导的电流而改变所述第一端子的电压水平，所述电压水平对于抑制编程所述一对反熔丝存储器单元中的第二反熔丝存储器单元是有效的。

14.根据权利要求13所述的方法，其中改变所述电压水平包括限制所述第一电压与所述第一端子之间的电流。