[发明专利]散射测量中的偏振调谐在审
| 申请号: | 201680082112.3 | 申请日: | 2016-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN108700816A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
| 发明(设计)人: | 毛瑞特斯·范德查尔;帕特里克·沃纳阿;张幼平;A·J·登博夫;肖锋;M·埃伯特 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G01N21/956 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 辐射 衬底 量测 调谐 目标反射 偏振状态 散射测量 选择检测 优化检测 照射束 检测 可控 偏振 投影 | ||
一种方法包括:将辐射的照射束投影到衬底上的量测目标上;检测从衬底上的量测目标反射的辐射;和基于检测到的辐射来确定衬底上的特征的特性,其中,可控地选择检测到的辐射的偏振状态,以优化检测到的辐射的品质。
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年12月17日递交的美国申请62/269,004的优先权,该美国申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明总体上涉及在光刻设备中使用的量测方法和工具,更具体地涉及包括如下系统的方法和工具:所述系统可以提供可变的照射设定,以获得关于量测目标的信息。
背景技术
光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常是衬底的目标部分上)的机器。例如,可以将光刻设备用于制造集成电路(IC)。在这种情况下,可以将图案形成装置(替代地,称为掩模或掩模版)用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如,包括管芯的一部分、一个管芯或更多个管芯)上。通常,通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常,单个衬底将包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器:在步进器中,通过将全部图案一次曝光到目标部分上来辐射每一个目标部分;在扫描器中,通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案且同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。另外,能够通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。
发明内容
为了允许多个已形成图案的层定位在衬底上,期望相对于辐射束和图案形成装置准确地设定衬底的位置。这可以通过将衬底准确地定位于衬底台上并且相对于辐射束和图案形成装置定位衬底台而执行。
可以执行衬底的对准。在一个对准系统中,测量衬底上的多个对准标记以得出坐标系,将该坐标系与模型化栅格进行比较以得出衬底上的特征的位置。将衬底夹持到衬底台上或者在非光刻过程步骤中发生的晶片变形可能引起衬底的变形,这可以通过将测量与栅格进行比较而监测。可以产生在曝光晶片时使用的、描述晶片栅格的模型,以便补偿所述变形。
特别感兴趣的一个属性是重叠,即,形成在衬底上的连续层的对准。可以使用如上文所描述的模型化栅格进行重叠的测量。描述相对于先前层的衬底上方的重叠误差的栅格模型可以被生成并且用于控制回路中,以确保多个批次之间的一致性。
为了提供对于遍及衬底的衬底属性有用的模型,可能需要可以进行测量的多个位置。因此,当规划衬底的布局(即,待形成于衬底上的图案的布置)时,提供多个样本位置。必需的衬底属性可以在每个样本位置处测量或者从在每个样本位置处进行的测量中导出。
本说明书涉及用于在例如图案形成装置的图案和图案形成装置的照射的一个或更多个属性的优化中、在图案形成装置上的一个或更多个结构层的设计中和/或在计算光刻术中使用图案形成装置诱导相位的方法和设备。
在一方面中,提供一种方法,包括:将辐射的照射束投影到衬底上的量测目标上;检测从所述衬底上的量测目标反射的辐射;和基于检测到的辐射来确定所述衬底上的特征的特性,其中,可控地(以能够控制的方式选择)选择所述检测到的辐射的偏振状态,以优化所述检测到的辐射的品质。
在一方面中,提供一种制造器件的方法,其中,使用光刻过程将器件图案施加至一系列衬底,所述方法包括:使用本文中描述的方法准备所述器件图案,并且将所述器件图案曝光到所述衬底上。
在一方面中,提供一种包括机器可读指令的非暂时性计算机程序产品,所述机器可读指令配置成使得处理器执行本文中描述的方法。
在一方面中,提供一种制造器件的方法,其中,使用光刻过程将器件图案施加至一系列衬底,所述方法包括:使用本文中描述的方法调适图案形成装置的设计。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680082112.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





