[发明专利]光伏设备和制造方法

权利要求书

1.一种制造光伏设备的方法，该光伏设备具有前接触层堆垛和半导体层堆垛，所述方法包括：

通过将半导体堆垛的暴露表面暴露于电离气体的等离子体对其进行等离子体清洁，其中所述等离子体清洁步骤在暴露表面除去5-500埃；

将所述半导体堆垛的暴露表面暴露于在另外的惰性气氛中含有1%至60%氧气的气氛，以在暴露表面上形成氧化物层；和

在所述氧化物层上形成背接触层堆垛。

2.权利要求1的方法，其中所述等离子体清洁和氧气暴露步骤在两阶段过程中按顺序进行。

3.权利要求1的方法，其中所述等离子体清洁和氧气暴露步骤在一阶段过程中同时进行。

4.权利要求3的方法，其中所述一阶段过程进一步包括将所述半导体堆垛的暴露表面暴露于从阳极层离子源仪器的放电通道发射的等离子体；其中所述等离子体通过在存在交叉磁场和电场的情况下使可电离气体流过放电通道以变得电离来产生，所述可电离气体在另外的惰性气体中包含1%至60%的氧气，从而在形成所述背接触层堆垛之前在所述暴露表面上形成所述氧化物层。

5.权利要求4的方法，其中所述惰性气体选自氖和氩。

6.权利要求1的方法，其中所述等离子体清洁步骤在25℃和400℃之间进行。

7.权利要求1的方法，其中所述氧气氛暴露步骤在25℃和400℃之间进行。

8.权利要求1的方法，其中所述等离子体清洁步骤在具有离子放电通道的线性ALIS仪器中进行，且其中所述氧气暴露步骤通过使氧气流过所述离子放电通道来进行。

9.权利要求1的方法，其中所述氧化物层用作掺杂剂的阻挡层或用作隧穿层或用作钝化层或这些的组合。

10.权利要求1的方法，其中所述等离子体清洁步骤在真空下进行且其中在所述氧化物层上原位形成所述背接触而不从所述真空移除。

11.权利要求1的方法，其中所述氧化物层具有2至100埃的厚度。

12.权利要求11的方法，进一步包括在所述氧化物层上原位形成背接触。

13.权利要求1的方法，其中所述半导体层堆垛包括吸收剂层，并且其中所述清洁步骤除去以下中的至少一种：

(a)来自所述吸收剂层的表面的碳残留物和污染物，或(b)所述吸收剂层的表面中的缺陷。

14.权利要求13的方法，其中所述清洁步骤暴露化学计量的吸收剂层的主体部分。

15.一种光伏设备，该光伏设备具有包括前接触层的前接触堆垛、布置在所述前接触堆垛上的半导体堆垛和布置在所述半导体堆垛上的背接触堆垛，其中所述半导体堆垛包括镉、碲以及以下中的至少一种：硫、硒、锌或氧；所述光伏设备进一步包括：

在所述半导体堆垛和所述背接触堆垛之间在半导体堆垛上形成的氧化物层，其中所述氧化物层具有2Å至100Å的厚度。

16.权利要求15的光伏设备，其中所述半导体堆垛包含硒。

17.权利要求15的光伏设备，其中所述半导体堆垛除了所述氧化物层之外还包括：

窗口层，其包含镉以及硫、硒、锌或氧中的至少一种；和

吸收剂层，其包含镉和碲以及硫、硒或锌中的至少一种。

18.权利要求15的光伏设备，其中所述背接触堆垛包括金属层和包含锌和碲的第二层的双层。

19.权利要求15的光伏设备，其中，所述光伏设备表现出以下至少一项：(a)与不具有所述氧化物层的光伏设备相比改进的光伏效率，和(b)与不具有所述氧化物层的光伏设备相比在光浸泡测试中改进的光伏稳定性。