[发明专利]衬底台、光刻设备和操作光刻设备的方法

说明书

一种衬底台(WT)配置成支撑衬底(W)以在浸没光刻设备中进行曝光，所述衬底台包括：支撑体(30)，所述支撑体具有被配置成支撑所述衬底的支撑表面(31)；和盖环(130)，所述盖环相对于所述支撑体是固定的并且被配置成在平面视图中看围绕支撑在所述支撑表面上的所述衬底，其中所述盖环具有上表面(60)；其中所述上表面的至少一部分(61)被配置成以便在沿着所述上表面朝向所述衬底移动时改变浸没液体的弯液面(17)的稳定性。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月8日递交的欧洲申请15198441.6的优先权，该申请的全文通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及衬底台、光刻设备和操作光刻设备的方法。

背景技术

光刻设备是将所需图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在那种情况下，可替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。可以将该图案转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或多个管芯)上。通常，经由成像至提供在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器：在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；在扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每个目标部分。另外，能够通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。

在浸没设备中，浸没流体由流体处理系统、器件结构或设备处理。在一实施例中，流体处理系统可以供给浸没流体，因此是流体供给系统。在一实施例中，流体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，因此是流体限制系统。在一实施例中，流体处理系统可以提供对浸没流体的阻挡件，因此是阻挡构件，诸如流体限制结构等。在一实施例中，流体处理系统可以生成或使用气体流，以例如帮助控制浸没流体流和/或浸没流体的位置。气体流可以形成密封以限制浸没流体，因此流体处理结构可以称为密封构件；这种密封构件可以是流体限制结构。在一实施例中，浸没液体被用作浸没流体。在那种情况下，流体处理系统可以是液体处理系统。参考前述的描述，在本段中对相对于流体而定义的特征的参考可以理解为包括相对于液体而定义的特征。

在光刻设备中处理浸没液体会在光刻设备中产生液体处理方面的一个或多个问题。间隙通常存在于物体(诸如衬底和/或传感器等)与所述物体(例如，衬底和/或传感器)的边缘周围的台(例如，衬底台或测量台)之间。美国专利申请公开出版物US2005-0264778公开了用材料填充那个间隙，或者提供液体源或低压源以有意地用液体填充间隙，以便避免在间隙通过液体供给系统下面时混入气泡，和/或以便移除任何进入间隙的液体。

限制浸没液体的液体限制结构相对于台移动，使得液体限制结构移动经过物体(例如衬底)与台之间的间隙。当液体限制结构沿物体的方向横跨间隙、然后继续移动经过物体时，浸没液体的液滴会留在物体的表面上。这些液滴导致各种问题，例如温度改变(随着液滴的蒸发，温度改变会使物体的表面变形)和成像缺陷(由于液滴对形成图像的辐射束的影响而导致成像缺陷)。

发明内容

例如，期望减小在液体限制结构移动经过物体的表面时浸没液体的液滴沉积在物体的表面上的可能性。

根据一方面，提供一种衬底台，所述衬底台被配置成支撑衬底以在浸没光刻设备中进行曝光，所述衬底台包括：支撑体，所述支撑体具有被配置成支撑所述衬底的支撑表面；和盖环，所述盖环相对于所述支撑体是固定的并且被配置成在平面视图中看围绕支撑在所述支撑表面上的所述衬底，其中所述盖环具有上表面；其中所述上表面的至少一部分被配置以便在沿着所述上表面朝向所述衬底移动时改变浸没液体的弯液面的稳定性。