[发明专利]电磁波检测器有效
| 申请号: | 201680081193.5 | 申请日: | 2016-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN108701737B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
| 发明(设计)人: | 岛谷政彰;小川新平;藤泽大介;奥田聪志 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 孙蕾 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电磁波 检测器 | ||
1.一种电磁波检测器,对电磁波进行光电变换而检测,其特征在于,包括:
基板;
绝缘层,设置于该基板之上;
石墨烯层,设置于该绝缘层之上,为光电变换层;
一对电极,设置于该绝缘层之上,分别与该石墨烯层连接;以及
接触层,被设置成与该石墨烯层接触,
该接触层由具有极性基团的材料构成,该接触层与该石墨烯层接触,从而在该石墨烯层的同一面内形成有电荷密度梯度,
所述石墨烯层包括通过所述接触层接触而形成有电荷的接触区域、和所述接触层和所述石墨烯层不接触而不从所述接触层形成电荷的非接触区域。
2.根据权利要求1所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述接触层覆盖所述石墨烯层和所述电极的边界。
3.根据权利要求1所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述接触层由化学地极性变换的材料、或者利用电磁波照射进行极性变换的材料构成。
4.根据权利要求2所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述接触层由化学地极性变换的材料、或者利用电磁波照射进行极性变换的材料构成。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述接触层是从由具有极性的聚合物材料、具有羟基或者羧基的材料、由于电磁波照射而产生氧化还原反应的材料、含有具有醌二叠氮基的感光剂和酚醛树脂的组合物材料、以及具有极性的无机物材料构成的群组选择的材料。
6.根据权利要求1~4中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
在所述石墨烯层之上设置有多个所述接触层。
7.根据权利要求1~4中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
通过所述接触层与p型的所述石墨烯层的一部分接触而将该石墨烯层改变为n型区域,该石墨烯层具有npn构造或者pnp构造。
8.根据权利要求1~4中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述接触层具有由相互不同的材料构成的多个接触层。
9.根据权利要求8所述的电磁波检测器,其特征在于,
由相互不同的材料构成的2个所述接触层隔着所述石墨烯层相向。
10.根据权利要求1~4中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述接触层设置于所述石墨烯层之上,以覆盖该接触层和该石墨烯层的方式还设置有其它石墨烯层。
11.根据权利要求1~4中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述接触层设置于所述绝缘层与所述石墨烯层之间。
12.根据权利要求1~4中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述电极具有包含周期性的凹部或者凸部的周期构造,根据该周期构造,特定波长的电磁波发生等离子共振。
13.根据权利要求1~4中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述石墨烯层具有包含周期性的凹部或者凸部的周期构造,根据该周期构造,特定波长的电磁波发生等离子共振。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





