[发明专利]混合串联太阳能电池有效
申请号: | 201680080717.9 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN108604615B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 兰伯特·约翰·吉林斯;吴宇;张栋;约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦;斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡;齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L27/30;H01L31/18 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合 串联 太阳能电池 | ||
1.串联太阳能电池,包括顶部太阳能电池和底部太阳能电池;所述顶部太阳能电池和所述底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面;所述相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源;所述顶部太阳能电池布置成使其后表面覆盖所述底部太阳能电池的前表面;
所述顶部太阳能电池包括光伏吸收层,所述光伏吸收层的带隙大于晶体硅的带隙;
所述底部太阳能电池包括晶体硅衬底;
在所述底部太阳能电池的所述前表面上,布置有钝化层堆栈,所述钝化层堆栈包括薄介电质膜和多晶硅的辅助层,所述薄介电质膜与所述晶体硅衬底接合且布置在所述晶体硅衬底的前表面与所述辅助层之间。
2.根据权利要求1所述的串联太阳能电池,其中,所述辅助层包括本征多晶硅。
3.根据权利要求1所述的串联太阳能电池,其中,所述辅助层包括掺杂有第一导电类型或第二导电类型的杂质的多晶硅。
4.根据前述权利要求1-3中任一项所述的串联太阳能电池,其中,所述辅助层对于红外辐射是透明的。
5.根据权利要求1所述的串联太阳能电池,其中,所述薄介电质膜具有在0.5 nm与5nm之间的厚度。
6.根据权利要求1所述的串联太阳能电池,其中,所述薄介电质膜是厚度在1 nm与2.5nm之间的氧化硅或氮氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的串联太阳能电池,其中,所述多晶硅具有在5nm至500nm范围内的厚度。
8.根据权利要求6或7所述的串联太阳能电池,其中,所述多晶硅的掺杂水平高于1×1019 cm-3。
9.根据权利要求1所述的串联太阳能电池,其中,所述顶部太阳能电池包括金属有机卤化钙钛矿层作为光伏吸收层。
10.根据权利要求1所述的串联太阳能电池,其中,所述顶部太阳能电池包括CdTe层作为光伏吸收层。
11.根据权利要求1所述的串联太阳能电池,其中,所述底部太阳能电池的前表面被纹理化,并且所形成的纹理的至少一些尖锐特征被圆化成或平滑成具有大于25nm至1000nm的增大的曲率半径。
12.根据权利要求11所述的串联太阳能电池,其中,经过纹理化处理的所述前表面包括具有中间山谷的锥形形状,所述山谷圆化成具有选自25nm-1000nm范围内的曲率半径。
13.根据权利要求1所述的串联太阳能电池,其中,
所述顶部太阳能电池包括:
薄膜光伏层结构,包括上载流子提取层、下载流子提取层和光伏吸收层,所述光伏吸收层布置在所述上载流子提取层与所述下载流子提取层之间,以及
至少第一接触层,所述第一接触层布置成与所述上载流子提取层接触;
所述底部太阳能电池包括:
基础导电类型的硅衬底,在所述硅衬底的后表面至少具有第一接触端子。
14.根据权利要求13所述的串联太阳能电池,其中,所述顶部太阳能电池包括第二接触层,所述第二接触层位于所述薄膜光伏层结构下方,与所述下载流子提取层接触;所述第一接触层具有第一极性,以及所述第二接触层具有与所述第一极性相反的第二极性;
所述底部太阳能电池包括第二接触端子,所述第二接触端子的极性与所述第一接触端子的极性相反,以及
所述第二接触端子与所述辅助层接触,并且所述第二接触层与所述第二接触端子电连接。
15.根据权利要求14所述的串联太阳能电池,其中,所述下载流子提取层和所述第二接触层中之一与所述辅助层和所述第二接触端子中之一重合。
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