[发明专利]自知生产晶片

权利要求书

1.一种处理自知基板的方法，包括以下步骤：

启动在所述自知基板上的处理操作；

接收来自所述自知基板上的一或多个传感器的输出信号，其中所述自知基板包括多个形成在基板的支撑表面上方的非生产区域上的传感器，其中所述基板包括一个或多个生产区域，其中所述非生产区域是与所述一个或多个生产区域相邻的划割线，其中所述多个传感器在所述基板的中心与所述基板的外部区域之间非均匀地分布，且其中所述外部区域相比所述基板的中心包括了所述多个传感器中的更多传感器，且其中所述多个传感器中的每一个包括收集器和栅极，所述收集器具有矩形形状的外缘且具有锥形上表面，该锥形上表面具有从所述外缘到该外缘下面的位置向内逐渐变细的锥形侧壁，并且所述锥形侧壁横向环绕该锥形侧壁内的中空区域，且所述收集器通过电迹线电连接至所述栅极；

将所述输出信号和与一或多个处理条件相关联的端点标准比较；及

当满足所述端点标准时，结束所述处理操作。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述端点标准包括预定目标值。

3.如权利要求2所述的方法，其中当至少一个传感器提供等于所述预定目标值的输出信号时，所述端点条件被满足。

4.如权利要求2所述的方法，其中当所有传感器提供等于或超过所述预定目标值的输出信号时，所述端点标准被满足。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述端点标准包括两个或更多个预定目标值，每个预定目标值与不同处理条件相关联。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

将所述自知基板上的时钟和与处理工具相关联的时钟同步；及

以所述传感器输出覆盖处理工具传感器数据。

7.一种用于分析在自知基板上的处理操作的方法，包括以下步骤：

在第一处理操作期间或所述第一处理操作之后，接收来自所述自知基板上的一或多个传感器的一或多个输出信号集，其中所述自知基板包括：

基板；

多个形成在所述基板的支撑表面上方的非生产区域上的传感器，其中所述基板包括一个或多个生产区域，其中所述非生产区域是与所述一个或多个生产区域相邻的划割线，其中所述多个传感器在所述基板的中心与所述基板的外部区域之间非均匀地分布，其中所述外部区域相比所述基板的中心包括了所述多个传感器中的更多传感器，其中每个传感器能够产生对应于处理条件的输出信号，且其中所述多个传感器中的每一个包括收集器和栅极，所述收集器具有矩形形状的外缘且具有锥形上表面，该锥形上表面具有从所述外缘到该外缘下面的位置向内逐渐变细的锥形侧壁，并且所述锥形侧壁横向环绕该锥形侧壁内的中空区域，且所述收集器通过电迹线电连接至所述栅极；和

形成在所述基板上的网络接口装置，其中所述多个传感器中的每一个经由一个或多个通孔通信耦合到所述网络接口装置；及

将所述一或多个输出信号集与目标值比较，其中所述目标值与处理条件相关联。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括以下步骤：

当所述输出信号集中一或多个不同于所述目标值时，调整用于第二处理操作的处理配方。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述目标值是膜厚度。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述目标值是热预算最大值。

11.如权利要求7所述的方法，其中所述输出信号集与两个或更多个目标值比较。