[发明专利]一种用于调整半导体晶锭在其制造期间的电阻率的方法

权利要求书

1.一种用于由半导体材料制造晶锭的方法，该方法包括以下步骤：

结晶，在特定的拉伸条件下，从含氧的第一熔融炉料中结晶第一晶锭，称为参考晶锭；

测量，测量沿参考晶锭分布的不同区域中的填隙氧浓度([Oi]_i)；

测量，在参考晶锭的不同区域中测量在参考晶锭的结晶过程中形成的热施主浓度([DT]_i)；

确定，根据填隙氧浓度([Oi]_i)和热施主浓度([DT]_i)的测量结果，确定在结晶过程中由参考晶锭的不同区域经历的热施主形成退火的有效时间(t_eff)；

计算，计算待获得的热施主浓度值([DT]_tg)以使第二晶锭在结晶后具有根据目标分布的轴向电阻率；

确定，根据热施主浓度值([DT]_tg)和热施主形成退火的有效时间(t_eff)确定对应于轴向电阻率目标分布的填隙氧浓度的轴向分布([Oi]_tg)；

结晶，在所述特定拉伸条件下，从含氧的第二熔融炉料中结晶第二晶锭，其中第二熔融炉料的氧浓度随结晶进展而调节，以便在第二晶锭中获得填隙氧浓度的轴向分布([Oi]_tg)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中目标分布的轴向电阻率是恒定的。

3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其中，在确定填隙氧浓度的轴向分布([Oi]_tg)的情况下，在预定时间期间，将第二晶锭进行额外的热施主形成退火，然后将附加退火的时间加到有效时间(t_eff)。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，第二熔融炉料中的氧浓度通过浸入第二熔融炉料中包括围绕第二晶锭布置的环的至少一个区段的片(21)来调节，所述片(21)由含氧材料形成。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中第一和第二熔融炉料包含掺杂剂，该方法进一步包括在计算热施主浓度值([DT]_tg)之前，在第二晶锭中确定掺杂剂浓度(N_D)的轴向分布的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，其中当第一和第二熔融炉料包含相同浓度的掺杂剂时，通过测量参考晶锭的不同区域中的掺杂剂浓度(N_D)来确定第二晶锭中的掺杂剂浓度(N_D)的轴向分布。

7.根据权利要求5所述的方法，其中第二晶锭中的掺杂剂浓度(N_D)的轴向分布通过Scheil-Gulliver方程计算。