[发明专利]研磨用组合物及硅基板的研磨方法

说明书

提供能实现具有平滑性和低缺陷性的被研磨面的研磨用组合物。研磨用组合物含有满足条件(A)及(B)的水溶性高分子。条件(A)：在包含平均一次粒径35nm的二氧化硅、水溶性高分子、氨、及水、且二氧化硅的浓度为0.48质量％、水溶性高分子的浓度为0.0125质量％、pH为10.0的第一标准液中，吸附于二氧化硅的水溶性高分子的量相对于第一标准液中含有的水溶性高分子的总量的比率即吸附率为10％以上。条件(B)：在包含平均一次粒径35nm的二氧化硅、水溶性高分子、氨、及水、且二氧化硅的浓度为0.48质量％、水溶性高分子的浓度为0.0125质量％、pH为10.4的第二标准液中，吸附于二氧化硅的水溶性高分子的量相对于第二标准液中含有的水溶性高分子的总量的比率即吸附率为65％以下。

技术领域

本发明涉及研磨用组合物及硅基板的研磨方法。

背景技术

为了硅晶圆的表面的平滑化、缺陷的减少等品质的提高，提出了各种研磨用组合物、研磨方法相关的技术(例如参照专利文献1)。但是，近年来，硅晶圆的表面品质相关的要求水平日益增高，因此对这些技术谋求进一步的改良。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/148399号

发明内容

发明要解决的问题

本发明的课题在于，解决如上所述的现有技术具有的问题，提供能实现具有高平滑性及低缺陷性的被研磨面的研磨用组合物及硅基板的研磨方法。

用于解决问题的方案

为了解决前述课题，本发明的一个方式的研磨用组合物的主旨在于，含有磨粒及水溶性高分子，水溶性高分子满足下述2个条件(A)及(B)。

条件(A)：在包含平均一次粒径35nm的二氧化硅、水溶性高分子、氨、及水、且二氧化硅的浓度为0.48质量％、水溶性高分子的浓度为0.0125质量％、pH为10.0的第一标准液中，吸附于二氧化硅的水溶性高分子的量相对于第一标准液中含有的水溶性高分子的总量的比率即吸附率为10％以上。

条件(B)：在包含平均一次粒径35nm的二氧化硅、水溶性高分子、氨、及水、且二氧化硅的浓度为0.48质量％、水溶性高分子的浓度为0.0125质量％、pH为10.4的第二标准液中，吸附于二氧化硅的水溶性高分子的量相对于第二标准液中含有的水溶性高分子的总量的比率即吸附率为65％以下。

另外，本发明的另一方式的硅基板的研磨方法的主旨在于，其包括：使用上述一个方式的研磨用组合物对硅基板进行研磨。

发明的效果

根据本发明，能实现具有高平滑性及低缺陷性的被研磨面。

具体实施方式

对本发明的一实施方式详细地进行说明。本实施方式的研磨用组合物含有磨粒及水溶性高分子，该水溶性高分子满足下述2个条件(A)及(B)。

条件(A)：在包含平均一次粒径35nm的二氧化硅、水溶性高分子、氨、及水、且二氧化硅的浓度为0.48质量％、水溶性高分子的浓度为0.0125质量％、pH为10.0的第一标准液中，吸附于二氧化硅的水溶性高分子的量相对于第一标准液中含有的水溶性高分子的总量的比率即吸附率为10％以上。

条件(B)：在包含平均一次粒径35nm的二氧化硅、水溶性高分子、氨、及水、且二氧化硅的浓度为0.48质量％、水溶性高分子的浓度为0.0125质量％、pH为10.4的第二标准液中，吸附于二氧化硅的水溶性高分子的量相对于第二标准液中含有的水溶性高分子的总量的比率即吸附率为65％以下。