[发明专利]用于晶片的晶片舟及等离子体处理设备

说明书

本发明涉及一种用于晶片舟的板组件，晶片舟用于对片状晶片，特别是针对半导体或光伏用途的半导体晶片，进行等离子体处理。板组件导电且在每一面上皆具至少一用于将晶片容置在晶片容置区域中的容置单元。板组件具有至少一处于板组件的至少一面中的凹部和/或至少一处于板组件中的开口，其中至少一凹部和/或至少一开口在板组件中至少部分径向地处于晶片容置区域外部且与其紧邻。本文也描述了一种晶片舟，其具有数个彼此平行配置的上述的板组件，其中相邻配置的板组件彼此电绝缘。本发明也涉及以与等离子体处理设备相结合的晶片舟，等离子体处理设备具有用于容置晶片舟的制程腔，用于以开环或闭环方式控制制程腔中的制程气体气氛的构件及至少一电压源，电压源可以合适的方式与晶片舟的导电板组件连接，以便在紧邻的容置在晶片舟中的晶片之间施加电压。

本发明涉及用于晶片的一种晶片舟及一种处理设备，所述晶片舟及所述处理设备适于在容置于其中的晶片之间产生等离子体。

在半导体技术及太阳能电池技术中已为吾人所知的是，对由不同材料构成的片状基板实施不同制程，下面将此等基板以与其几何形状及其材料无关的方式称为晶片。

在此，通常除对晶片实施单个处理制程外，也对其实施批量制程，即同时处理数个晶片的制程。在单个制程及批量制程中皆须将晶片移至期望的处理位置。在批量制程中，此点通常通过将晶片插入所谓的具有用于数个晶片的插口的舟件而实现。在此等舟件中，晶片通常彼此平行配置。此类舟件可采用不同构造，其通常仅容置相应晶片的下沿，使得晶片朝上曝露。此类舟件通常是被动的，也即，除保持功能外，此等舟件在处理晶片期间不具有其他功能。

就例如用来在半导体或太阳能电池技术中对晶片进行等离子体处理的一种类型的晶片舟而言，此晶片舟由数个导电板件构成，此等板件通常由石墨构成。此等板件大体彼此平行配置，且在相邻的板件之间形成用于容置晶片的容置缝。此等板件的朝向彼此的各面分别具有用于晶片的相应容置元件，以便将晶片容置在每一面上。通常在每个朝向另一板件的板件面上设有销件作为容置元件，此等销件容置晶片。因此，在每个容置缝中，可将至少两个晶片以某种方式完全容置在板件之间，使得此等晶片彼此相对。晶片舟的相邻板件彼此电绝缘，在制程中，在紧邻的板件之间施加通常处于千赫兹范围或兆赫范围内的交流电压。如此便能在板件之间以及特别是在保持在各板件上的晶片之间形成等离子体，以便设置等离子体处理，如等离子体的沉淀或层的等离子体氮化。为相对配置板件而采用间隔元件，其具有用于调整板件之间的预设距离的预设长度。DE 10 2011 109 444 A1例如描述此种由板件及间隔元件构成的晶片舟。

如前所述，等离子体除产生于相邻的晶片之间外，也产生于相邻的板件之间。由于板件的传导性通常高于晶片，板件间的等离子体密度可大于晶片间的等离子体密度，此点对于晶片处理的制程及均匀性而言较为不利。特别是与在晶片的其他区域中相比，在晶片的边缘区域中可能出现更大的效应。此外，可能产生晶片的底面处理(特别是底面涂布)的问题，此种底面处理也称作涂布的缠绕且因紧邻晶片边缘的等离子体而引发。

为克服此问题，过去的方案是用绝缘层，如SiN，对板件进行预覆盖，以便抑制板件间的等离子体形成。但此种预覆盖又可能导致其他问题，且特别是在蚀刻槽中对板件进行湿式清洁后，还必须定期对预覆盖进行再生，从而增大成本。

有鉴于此，本发明的目的在于设置用于晶片的一种晶片舟及一种等离子体处理设备，所述晶片舟及所述等离子体处理设备克服或缓解上述缠绕问题。

本发明用以达成上述目的的解决方案为根据权利要求1所述的一种板元件、根据权利要求6所述的一种晶片舟以及根据权利要求8所述的一种等离子体处理设备。本发明的其他设计方案参阅附属项。