[发明专利]化学气相沉积方法和装置

权利要求书

1.一种化学气相沉积系统的细丝组件的形成方法，包括以下步骤：

(1)提供包括至少一细丝接触件的一电性导电桥；

(2)提供具有一第一端与一第二端的一硅种子，该第一端包括被配置为生长一中空硅细丝于其上的一凸起部，该第二端被配置为于该桥的该细丝接触件相配合；

(3)将该硅种子的该第一端上的该凸起部与一晶体生长装置的一成形染料中的熔融硅接触，该硅种子的该凸起部与该成形染料具有基本相似的截面形状；

(4)形成包括该中空硅细丝的一细丝结构于该硅种子的该第一端上；以及

(5)通过该硅种子的该第二端与该桥的该细丝接触件相配合，以连接该细丝结构与该电性导电桥。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该方法还包括提供具有一第一端与一第二端的一第二硅种子，该第一端包括被配置为生长一第二中空硅细丝于其上的一凸起部，该第二端被配置为与该桥的一第二细丝接触件相配合；将该第二硅种子的该第一端与一晶体生长装置的一成形染料中的熔融硅接触，该第二硅种子的该凸起部与该成形染料具有基本相似的截面形状；形成包括该第二中空硅细丝的一第二细丝结构于该第二硅种子上；以及通过将该第二硅种子的该第二表面与该桥的该第二细丝接触件相配合，将该第二细丝结构连接到该电性导电桥。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该桥为一硅桥。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，该细丝接触件为穿过该桥的一孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，该硅种子的该第二端穿过该孔，电性连接该细丝结构至该桥。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，该硅种子的该第二端为锥形，在沿该中空硅细丝的一方向上具有一减小的宽度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，该第二端为截锥形。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，该硅种子的该第二端被配置为锁定于该桥的该细丝接触件上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，该细丝接触件与该硅种子的该第二端包括配合螺纹。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，该中空硅细丝为圆柱形。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，该成形染料的该截面形状以及该凸起部本质上为圆形。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，该凸起部为围绕该硅种子的该第一端的一周长的一上升的唇缘。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，该硅种子的该第二端包括一通风孔。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，该中空硅细丝与该硅种子合为一体。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，该晶体生长装置为一EFG晶体生长装置。

16.一种化学气相沉积系统，其中，包括至少一细丝组件，该细丝组件具有由一水平电性导电桥电性连接的一对垂直细丝结构，该桥包括一对细丝接触件，且该细丝结构包括位于一硅种子上的一中空硅细丝，

其中，该硅种子具有包括被配置为生长该中空硅细丝于其上的一凸起部的一第一端以及被配置为与该桥的该细丝接触件相配合的一第二端。

17.根据权利要求16所述的化学气相沉积系统，其中，该中空硅细丝与该硅种子为合成一体。

18.一种在化学气相沉积系统中沉积硅于细丝组件上的方法，其中，包括将气态硅前体试剂引入该化学气相沉积系统中以及促进该气态硅前体试剂转化为该细丝组件上的硅的步骤，其中，形成该细丝组件的方法包括以下步骤：

(1)提供包括至少一细丝接触件的一电性导电桥；

(2)提供具有一第一端与一第二端的一硅种子，该第一端包括被配置为生长一中空硅细丝于其上的一凸起部，该第二端与该桥的该细丝接触件相配合；

(3)将该硅种子的该第一端上的该凸起部与一晶体生长装置的一成形染料中的熔融硅接触，该硅种子的该凸起部与该成形染料具有基本相似的截面形状；

(4)形成包括该中空硅细丝的一细丝结构于该硅种子的该第一端上；以及

(5)将该硅种子的该第二端与该桥的该细丝接触件相配合，以使该细丝结构与该电性导电桥连接。