[发明专利]气化系统及工艺

权利要求书

1.一种气化系统，用于部分地氧化含碳原料以至少提供合成气体，所述系统包括：

反应器室，其用于接收且部分地氧化所述含碳原料；

在所述反应器室下方的骤冷区段，其用于保持由液态冷却剂形成的浴池；

中介区段，其将所述反应器室连接到所述骤冷区段，所述中介区段包括：

反应器室底板，其设有反应器出口开口，所述反应器室穿过所述反应器出口开口与所述骤冷区段连通，以将所述合成气体从所述反应器室引导到所述骤冷区段的浴池；

至少一层耐火砖，其布置在所述反应器室底板上且由所述反应器室底板支承，所述耐火砖包围所述反应器出口开口；

隔膜壁，其包括用于液态冷却剂的管，所述隔膜壁包括至少第一壁区段，其从所述反应器室底板的反应器出口开口向下延伸；

与液态冷却剂源连通的泵系统，其用于使所述液态冷却剂循环穿过所述隔膜壁的管；以及

浸没管，其从所述反应器出口开口延伸到所述骤冷区段的浴池，所述浸没管的上端设有骤冷环，以将液态冷却剂提供给所述浸没管的内表面，所述骤冷环包围所述隔膜壁的第一壁区段的外表面。

2.根据权利要求1所述的气化系统，其特征在于，所述隔膜壁的管一起形成基本上气密的壁。

3.根据权利要求1或2所述的气化系统，其特征在于，包括可浇铸耐火材料层，其覆盖所述隔膜壁的第一壁区段的内表面的至少一部分。

4.根据权利要求3所述的气化系统，其特征在于，所述可浇铸耐火材料层从所述耐火砖的下端向下延伸，直到所述第一壁区段的下端。

5.根据权利要求1或2所述的气化系统，其特征在于，所述隔膜壁包括水平区段，其在所述反应器室底板的至少一部分和所述至少一层耐火砖之间延伸。

6.根据权利要求5所述的气化系统，其特征在于，所述隔膜壁的水平区段接合所述反应器室底板的水平区段。

7.根据权利要求1或2所述的气化系统，其特征在于，所述反应器出口开口的内径沿着其长度基本上恒定，所述内径的上端由所述至少一层耐火砖限定，且所述内径的下端由所述隔膜壁的第一壁区段和/或所述第一壁区段上的可浇铸耐火材料限定。

8.根据权利要求1所述的气化系统，其特征在于，包括密封件，其密封所述骤冷环和所述反应器室底板之间的空间。

9.根据权利要求8所述的气化系统，其特征在于，包括密封浆状体，其填充所述密封件、所述反应器室底板和所述骤冷环之间的空间。

10.根据权利要求1或2所述的气化系统，其特征在于，从所述隔膜壁的第一壁区段的下缘到所述骤冷环的顶部的竖向距离为所述反应器室出口的竖向长度的0.6到0.85倍。

11.根据权利要求1所述的气化系统，其特征在于，在所述隔膜壁的第一壁区段和所述浸没管之间的水平距离在所述浸没管的半径的2%到20%的范围内。

12.根据权利要求1所述的气化系统，其特征在于，所述隔膜壁的第一壁区段和所述浸没管之间的水平距离在从所述第一壁区段的下缘到所述骤冷环的顶部的竖向距离的2%到50%的范围内。

13.根据权利要求1或2所述的气化系统，其特征在于，所述含碳原料是包括油或重油残渣的液态原料。

14.一种气化工艺，用于部分地氧化含碳原料以至少提供合成气体，所述气化工艺包括使用根据权利要求1所述的气化系统。