[发明专利]SiC外延晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201680074244.1 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108369901B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 武藤大祐;宫坂晶 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/42;C30B29/36;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 外延 晶片 制造 方法 | ||
1.一种SiC外延晶片的制造方法，是在SiC单晶基板上具有外延层的SiC外延晶片的制造方法，
在使所述外延层结晶生长时，具有：
在开始结晶生长的初期在第1条件下形成外延层的一部分的工序；和
在与所述第1条件相比使Cl/Si比减少、并且使C/Si比增加了的第2条件下形成SiC外延层的一部分的工序，
在所述第1条件下，一同使用氯代硅烷和氯化氢HCl作为Cl元素的供给源，所述氯代硅烷为SiH4－nCln，其中，n＝0～4，
在所述第1条件下，C/Si比为0.4～0.6、Cl/Si比为5.0～8.0，
在所述第2条件下，C/Si比为0.95～1.1、Cl/Si比为2～3。
2.根据权利要求1所述的SiC外延晶片的制造方法，
在使所述外延层结晶生长时，进行从所述第1条件向所述第2条件来使C/Si比缓慢减少、并且使Cl/Si比缓慢增加的缓变工序。
3.根据权利要求2所述的SiC外延晶片的制造方法，
所述外延层从所述SiC单晶基板侧起依次具有缓冲层和漂移层，
在使所述缓冲层生长时进行所述缓变工序。
4.根据权利要求3所述的SiC外延晶片的制造方法，
所述缓变工序所需要的时间是形成所述缓冲层所需要的时间的1/5以上。
5.根据权利要求2所述的SiC外延晶片的制造方法，
在所述缓变工序中结晶生长的外延层的层厚为0.1μm以上。
6.根据权利要求2所述的SiC外延晶片的制造方法，
所述缓变工序在所述外延层生长开始的同时开始。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
