[发明专利]气化系统和工艺

权利要求书

1.一种气化系统，用于使含碳进料部分地氧化，以至少提供合成气，所述系统包括：

反应器室，其用于接收所述含碳进料且使所述含碳进料部分地氧化；

在所述反应器室的下方的激冷区段，其用于容纳由液态冷却剂形成的浴池；以及

中介区段，其将所述反应器室连接至所述激冷区段，所述中介区段包括：

反应器室底板，其设置有反应器出口开口，所述反应器室穿过所述反应器出口开口而与所述激冷区段连通，以将所述合成气从所述反应器室引导至所述激冷区段的浴池中；

至少一层耐火砖，其布置于所述反应器室底板上，且由所述反应器室底板支撑，所述耐火砖包封所述反应器出口开口；

所述系统还包括浸没管，所述浸没管从所述反应器出口开口延伸至所述激冷室的浴池，所述浸没管具有扩宽的顶部区段；

其中，所述浸没管的扩宽的顶部区段设置有激冷环，所述激冷环用于为所述浸没管的内表面提供液态冷却剂，所述激冷环的下端布置于所述反应器出口开口的下端的上方的某一距离处。

2.根据权利要求1所述的气化系统，其特征在于，所述浸没管的扩宽的顶部区段包封所述反应器出口开口的外表面。

3.根据权利要求1所述的气化系统，其特征在于，所述激冷环布置于相对于所述反应器出口开口的内表面的某一水平距离处。

4.根据权利要求1所述的气化系统，其特征在于，包括用于密封所述激冷环与所述反应器室底板之间的空间的密封件。

5.根据权利要求1或2所述的气化系统，其特征在于，所述扩宽的顶部区段包括弯曲区段。

6.根据权利要求1或2所述的气化系统，其特征在于，所述反应器室底板包括圆锥形区段和水平区段，所述水平区段在交叉部处连接至所述圆锥形区段；并且，

所述浸没管的扩宽的顶部区段限定所述浸没管与所述反应器室底板之间的间隙。

7.根据权利要求6所述的气化系统，其特征在于，所述间隙的最小距离位于所述浸没管的扩宽的顶部区段的壁部与所述反应器室底板的交叉部底板区段之间。

8.根据权利要求7所述的气化系统，其特征在于，所述最小距离为5 cm或更小。

9.根据权利要求6所述的气化系统，其特征在于，包括至少一个喷气喷嘴，所述喷气喷嘴指向所述浸没管与所述反应器室底板之间的间隙，以便清洁或吹扫所述间隙。

10.根据权利要求1或2所述的气化系统，其特征在于，所述浸没管包括圆柱形中间区段，所述圆柱形中间区段连接至所述扩宽的顶部区段，所述中间区段具有为所述反应器出口开口的内径的95%至110%的浸没管内径。

11.根据权利要求10所述的气化系统，其特征在于，所述浸没管的中间区段在所述中间区段的外侧上设置有冷却包封件。

12.根据权利要求11所述的气化系统，其特征在于，所述冷却包封件包括圆柱形元件，所述圆柱形元件带有封闭上端和封闭下端，在所述圆柱形元件与所述中间浸没管区段的外径之间留下环形空间，以便使冷却流体循环。

13.根据权利要求1或2所述的气化系统，其特征在于，所述含碳进料是至少包括油或重油残渣的液态进料。

14.一种气化工艺，用于使含碳进料部分地氧化，以至少提供合成气，所述气化工艺包括在根据权利要求1所述的气化系统中使所述含碳进料气化，以提供所述合成气。