[发明专利]适应性对准方法及系统

说明书

本发明揭示适应性对准方法及系统。一种适应性对准系统可包含经配置以对准晶片的扫描器及与所述扫描器通信的分析器。所述分析器可经配置以：辨识至少一个界定分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用后降对准策略或向所述扫描器报告所述至少一个扰动。

相关申请案的交叉参考

本申请案根据35U.S.C.§119(e)规定主张2015年12月16日申请的序列号为62/268,272号美国临时申请案的权利。所述序列号为62/268,272号的美国临时申请案的全文特此以引用的方式并入。

技术领域

本发明大体上涉及半导体制造的领域，且特定来说涉及在半导体制造期间利用的对准方法及系统。

背景技术

例如硅晶片及类似者的薄抛光板是现代技术的极其重要的部分。举例来说，晶片可指代用于制造集成电路及其它装置的半导体材料薄片。薄抛光板的其它实例可包含磁盘衬底、块规及类似者。虽然此处描述的技术主要涉及晶片，但应了解，本技术还适用于其它类型的抛光板。术语晶片及术语薄抛光板在本发明中可互换地使用。

制造半导体装置通常包含使用若干半导体制造工艺处理衬底(例如半导体晶片)。举例来说，光刻是可用来图案化晶片的部分(或整体)的过程。可使用投影曝光系统(例如扫描器或类似者)来实行光刻。

通常，在曝光之前对准晶片并确定聚焦校平图。聚焦校平信息可含有由各种前侧及背侧污染源引起的小扰动(还可称为聚焦光点)。除在曝光期间引起成像问题之外，这些聚焦光点还可影响当前曝光层相较于先前层的对准及因此重叠。此原因在于聚焦光点可引起对准标记正上方或周围的区域中的晶片形状的局部变形，而引起工具在与在不存在局部变形的情况下将测量的位置稍微不同的位置处测量对准标记位置。因此，此经测量位置数据用于对准模型项的回归分析及确定中。此信息接着在曝光期间应用于扫描器台以确保光罩、透镜与晶片之间的适当定位及因此更好重叠。当不正确地或次优地计算这些校正值时，重叠控制的失败及重叠准确度的降低因此发生。

需要提供有效的且准确的对准方法及系统。

发明内容

本发明涉及一种系统。所述系统可包含经配置以对准晶片的扫描器及与所述扫描器通信的分析器。所述分析器可经配置以：辨识至少一个界定分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用退守(fallback)对准策略或向所述扫描器报告所述至少一个扰动。

本发明的另一实施例涉及一种方法。所述方法可包含：对准晶片；辨识针对所述晶片界定的至少一个分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用退守对准策略以对准所述晶片。

本发明的额外实施例涉及一种方法。所述方法可包含：对准晶片；辨识针对所述晶片界定的至少一个分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而向用户或用户系统报告所述至少一个扰动以调整所述晶片的对准。

应了解，前述一般描述及以下详细描述两者皆仅为示范性的及说明性的且不一定限制本发明。并入于本说明书中且构成本说明书的部分的附图说明本发明的主题。描述及图式一起用来说明本发明的原理。

附图说明

通过参考附图，所属领域的技术人员可更好理解本发明的许多优点，其中：

图1是描绘围绕提供于晶片上的对准标记界定的分析区域的说明；

图2是描绘根据本发明的实施例配置的适应性对准方法的过程流程的说明；

图3是描绘根据本发明的实施例配置的另一适应性对准方法的过程流程的说明；

图4是描绘针对晶片界定的分析区域的说明；