[发明专利]层状材料及其加工方法

权利要求书

1.一种生产衍生自层状材料的纳米片的方法，包括以下步骤：

(a)将所述层状材料的颗粒与载体液体混合以形成所述颗粒在所述载体液体中的分散体；

(b)将所述分散体加压至至少10kpsi的压力；以及

(c)在所述压力下迫使所述分散体沿着微流体通道，以向所述分散体中的所述颗粒施加至少10⁶s^-1的剪切速率，由此造成纳米片从所述颗粒剥离；其中所述微流体通道提供曲折的流动路径。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述分散体加压至至少20kpsi的压力。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米片选自基本材料中的一种或更多种，所述基本材料选自金属或绝缘体。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述金属选自NiTe₂或VSe₂，所述绝缘体选自h-BN或HfS₂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米片选自基本材料中的一种或更多种，所述基本材料选自石墨烯，所述石墨烯衍生自原始石墨。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米片选自基本材料中的一种或更多种，所述基本材料选自半金属，所述半金属选自WTe₂或TcS₂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米片选自基本材料中的一种或更多种，所述基本材料选自半导体，所述半导体选自WS₂、WSe₂、MoS₂、MoTe₂、TaS₂、RhTe₂或PdTe₂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米片选自基本材料中的一种或更多种，所述基本材料选自超导体，所述超导体选自NbS₂、NbSe₂、NbTe₂或TaSe₂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米片选自基本材料中的一种或更多种，所述基本材料选自拓扑绝缘体。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米片选自基本材料中的一种或更多种，所述基本材料选自热电材料，所述热电材料选自Bi₂Se₃或Bi₂Te₃。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述层状材料是石墨并且所述纳米片是石墨纳米片。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述层状材料是原始石墨并且所述纳米片是石墨纳米片。

13.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述层状材料以至少10mg每ml分散体的量存在于所述载体液体中。

14.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述层状材料以至少50mg每ml分散体的量存在于所述载体液体中。

15.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述方法在所述分散体中产生至少0.1mg每ml分散体的单层/几层纳米片的浓度。

16.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中使经历步骤(c)的所述分散体根据循环的数目经由相同或不同的微流体通道重复地经历步骤(b)和步骤(c)，其中所述循环的数目为至少5。