[发明专利]低光学损失倒装芯片固态照明设备

权利要求书

1.一种包括倒装芯片发光二极管的发光设备，所述倒装芯片发光二极管包括：

多个半导体层，包括含第一类型的掺杂质的第一半导体层和含第二类型的掺杂质的第二半导体层，其中，发光有源区域布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；

多层反射器，被布置成接近于所述多个半导体层，所述多层反射器包括金属反射器层和电介质反射器层，其中，所述电介质反射器层布置在所述金属反射器层与所述多个半导体层之间；

钝化层，布置在所述金属反射器层与(i)第一电接触和(ii)第二电接触之间，其中，所述第一电接触被布置成与所述第一半导体层导电电通信，并且所述第二电接触被布置成与所述第二半导体层导电电通信；以及

粘合层，位于所述金属反射器层与所述电介质反射器层之间；

其中，所述多个半导体层形成台面，所述第一半导体层、所述发光有源区域和所述第二半导体层的每一个的外围部分形成横向地界定所述台面的至少一个凹部的侧壁，并且所述凹部包括界定所述第二半导体层的外围部分、所述发光有源区域以及所述第一半导体层的区段的所述电介质反射器层的外围部分。

2.根据权利要求1所述的发光设备，进一步包括：

透光的基板，所述透光的基板包括蓝宝石、碳化硅、硅或III族-氮化物材料。

3.根据权利要求2所述的发光设备，其中，所述透光的基板包括图案化表面，所述图案化表面包括(a)多个凹陷特征和(b)多个凸起特征中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的发光设备，其中，所述第一半导体层沉积在所述图案化表面上。

5.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述电介质反射器层包括多个导电过孔中的至少一个，所述多个导电过孔延伸通过所述电介质反射器层并且被布置成与所述第一半导体层和所述第二半导体层中的至少一个接触。

6.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述电介质反射器层布置在所述第二半导体层上。

7.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述金属反射器层以及所述钝化层中的每个的各部分延伸入所述至少一个凹部中。

8.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述钝化层的至少一部分从外围上包围所述多层反射器并且防止所述多层反射器的暴露。

9.根据权利要求1所述的发光设备，进一步包括：

导电微接触的第一阵列，延伸通过所述钝化层并且提供所述第一电接触与所述第一半导体层之间的电通信；和

至少一个导电路径，提供所述第二电接触与所述第二半导体层之间的电通信。

10.根据权利要求9所述的发光设备，其中，提供所述第二电接触与所述第二半导体层之间的电通信的所述至少一个导电路径包括延伸通过所述钝化层的导电微接触的第二阵列。

11.根据权利要求10所述的发光设备，进一步包括布置在所述金属反射器层与所述钝化层之间的势垒层，其中，导电微接触的所述第一阵列和导电微接触的所述第二阵列中的至少一个延伸通过所述势垒层。

12.根据权利要求11所述的发光设备，进一步包括含金属的夹层，所述含金属的夹层布置在所述势垒层与(i)所述第一电接触和(ii)所述第二电接触之间的所述钝化层内。

13.根据权利要求12所述的发光设备，其中，所述含金属的夹层包括铝。

14.根据权利要求1所述的发光设备，包括下列特征(a)至(c)中的至少一个：(a)所述电介质反射器层包括二氧化硅；(b)所述金属反射器层包括银；以及(c)所述钝化层包括氮化硅。