[发明专利]生成金属膜的方法有效
| 申请号： | 201680069590.0 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108291302B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | F·阿贝尔斯;D·D·施魏因富特;K·马托斯;D·勒夫勒;M·阿尔夫;F·布拉斯伯格;T·绍布;J·施皮尔曼;A·科斯特;B·加斯帕 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/06;C07F9/547;C07F5/02;C07F7/02;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张双双;刘金辉 |
| 地址： | 德国莱茵河*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生成 金属膜 方法 | ||
1.一种用于制备金属膜的方法，包括：
(a)将含金属化合物由气态沉积至固体基材上，和
(b)使具有经沉积的含金属化合物的固体基材与气态或于溶液中的还原剂接触，
其中所述还原剂为或至少部分形成固体基材的表面上的碳烯或硅烯原子团，
其中所述碳烯为通式(I)、(II)、(IVa)、(IVb)、(Va)或(Vb)的化合物
或其中还原剂为通式(III)的化合物：
其中R为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，
X为C、Si或P，
Y为S、NR或CR2，
Z为不存在、H、烷基、卤素、胺、PR2或硼物质，且
n为0、1或2。
2.根据权利要求1的方法，其中所述还原剂为通式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)或(If)的化合物：
3.根据权利要求1的方法，其中所述还原剂为通式(IVa)的化合物或通式(IVb)的化合物：
4.根据权利要求1的方法，其中所述还原剂为通式(Va)的化合物或通式(Vb)的化合物：
5.根据权利要求1的方法，其中所述还原剂在200℃下具有至少0.1毫巴的蒸气压。
6.根据权利要求2的方法，其中所述还原剂在200℃下具有至少0.1毫巴的蒸气压。
7.根据权利要求3的方法，其中所述还原剂在200℃下具有至少0.1毫巴的蒸气压。
8.根据权利要求4的方法，其中所述还原剂在200℃下具有至少0.1毫巴的蒸气压。
9.根据权利要求1-8中任一项的方法，其中(a)和(b)成功地进行至少两次。
10.根据权利要求1-8中任一项的方法，其中所述含金属化合物含有Ti、Ta、Mn、Mo、W或Al。
11.根据权利要求9的方法，其中所述含金属化合物含有Ti、Ta、Mn、Mo、W或Al。
12.根据权利要求1-8中任一项的方法，其中所述温度不超过350℃。
13.根据权利要求9的方法，其中所述温度不超过350℃。
14.根据权利要求10的方法，其中所述温度不超过350℃。
15.根据权利要求11的方法，其中所述温度不超过350℃。
16.碳烯、硅烯原子团或通式(III)的化合物作为原子层沉积法中的还原剂的用途，其中所述碳烯为通式(I)、(II)、(IVa)、(IVb)、(Va)或(Vb)的化合物。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
