[发明专利]晶圆的双面研磨方法

权利要求书

1.一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘之间配设载体，形成于该载体的支承孔支承晶圆，并将该晶圆夹在该上下定盘之间而进行双面研磨，其中

该载体在被配设于该双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨该晶圆的该双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，该一次研磨使用含有磨粒的泥浆，该二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行了该两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨该晶圆的该双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。

2.如权利要求1所述的晶圆的双面研磨方法，其中于为了双面研磨该晶圆而初次配设该载体之前，进行对配设于该双面研磨机之前的该载体所进行的两阶段双面研磨。

3.如权利要求1所述的晶圆的双面研磨方法，其中将经使用于该晶圆的双面研磨后的载体自该双面研磨机取出而暂时保管，在为了双面研磨下一个晶圆而再度配设前，进行对配设于该双面研磨机之前的该载体所进行的两阶段双面研磨。

4.如权利要求2所述的晶圆的双面研磨方法，其中将经使用于该晶圆的双面研磨后的载体自该双面研磨机取出而暂时保管，在为了双面研磨下一个晶圆而再度配设前，进行对配设于该双面研磨机之前的该载体所进行的两阶段双面研磨。

5.如权利要求1所述的晶圆的双面研磨方法，其中该载体为金属制。

6.如权利要求2所述的晶圆的双面研磨方法，其中该载体为金属制。

7.如权利要求3所述的晶圆的双面研磨方法，其中该载体为金属制。

8.如权利要求4所述的晶圆的双面研磨方法，其中该载体为金属制。

9.如权利要求1所述的晶圆的双面研磨方法，其中于该载体的一次研磨中所使用的泥浆中的磨粒为直径70nm以上。

10.如权利要求2所述的晶圆的双面研磨方法，其中于该载体的一次研磨中所使用的泥浆中的磨粒为直径70nm以上。

11.如权利要求3所述的晶圆的双面研磨方法，其中于该载体的一次研磨中所使用的泥浆中的磨粒为直径70nm以上。

12.如权利要求4所述的晶圆的双面研磨方法，其中于该载体的一次研磨中所使用的泥浆中的磨粒为直径70nm以上。

13.如权利要求5所述的晶圆的双面研磨方法，其中于该载体的一次研磨中所使用的泥浆中的磨粒为直径70nm以上。

14.如权利要求6所述的晶圆的双面研磨方法，其中于该载体的一次研磨中所使用的泥浆中的磨粒为直径70nm以上。

15.如权利要求7所述的晶圆的双面研磨方法，其中于该载体的一次研磨中所使用的泥浆中的磨粒为直径70nm以上。

16.如权利要求8所述的晶圆的双面研磨方法，其中于该载体的一次研磨中所使用的泥浆中的磨粒为直径70nm以上。

17.如权利要求1至16中任一项所述的晶圆的双面研磨方法，其中于该载体的两阶段双面研磨中所使用的研磨布为邵氏A硬度80以上的聚氨酯发泡垫。

18.如权利要求1至16中任一项所述的晶圆的双面研磨方法，其中该载体的一次研磨的研磨量为单面30nm以上。

19.如权利要求17所述的晶圆的双面研磨方法，其中该载体的一次研磨的研磨量为单面30nm以上。