[发明专利]溅射靶有效
| 申请号： | 201680069144.X | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108291294B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 金光谭;栉引了辅;山本俊哉;齐藤伸;日向慎太朗 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C1/04;C22C1/05;C22C1/10;C22C5/04;C22C19/07;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 鲁雯雯;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射靶，其含有金属Co、金属Pt和氧化物而成，其特征在于，
其是除了不可避免的杂质以外不含金属Cr的溅射靶，
所述氧化物含有B2O3，
并且，所述溅射靶含有10～50体积％的所述B2O3。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物为B2O3。
3.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，含有20～40体积％的所述B2O3。
4.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，含有25～35体积％的所述B2O3。
5.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶能够用于磁性薄膜的制作。
6.如权利要求3所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶能够用于磁性薄膜的制作。
7.如权利要求4所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶能够用于磁性薄膜的制作。
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