[发明专利]电荷转移盐、电子器件及其形成方法

权利要求书

1.一种电荷转移盐，其由被聚合物n-掺杂的有机半导体形成，所述聚合物包含第一重复单元，该第一重复单元取代有包含至少一种n-掺杂剂的至少一个基团，其中所述n-掺杂剂是氢化物供体，并且其中所述聚合物包含式(I)的重复单元：

其中：

BG是主链基团；

Sp是间隔基团；

ND是氢化物供体n-掺杂剂；

R¹是取代基；

x是0或1；

y是至少1；和

z是0或正整数；和

n是至少1。

2.根据权利要求1所述的电荷转移盐，其中所述n-掺杂剂是2,3-二氢-苯并咪唑基团。

3.根据权利要求1或2所述的电荷转移盐，其中所述n-掺杂剂是(4-(1,3-二甲基-2,3-二氢-1H-苯并咪唑-2-基)苯基)二甲基胺。

4.根据权利要求1所述的电荷转移盐，其中BG是C_6-20亚芳基。

5.根据权利要求4所述的电荷转移盐，其中BG是芴。

6.根据权利要求1或2所述的电荷转移盐，其中所述聚合物在聚合物主链中包含一种或多种其它重复单元。

7.根据权利要求6所述的电荷转移盐，其中所述一种或多种其它重复单元包含选自如下的一种或多种重复单元或者由选自如下的一种或多种重复单元组成：C_6-20亚芳基重复单元，该C_6-20亚芳基重复单元是未取代的或者取代有一个或多个取代基。

8.根据权利要求6所述的电荷转移盐，其中所述第一重复单元形成所述聚合物的重复单元的0.1-50摩尔％。

9.根据权利要求1或2所述的电荷转移盐，其中所述有机半导体包含选自C＝N基团、腈基团、C＝O基团和C＝S基团的键。

10.根据权利要求1或2所述的电荷转移盐，其中所述有机半导体的最低未占分子轨道能级距真空能级不超过3.2eV。

11.根据权利要求1或2所述的电荷转移盐，其中所述有机半导体与包含第一重复单元的所述聚合物混合。

12.根据权利要求11所述的电荷转移盐，其中所述有机半导体:n-掺杂剂的重量比在99:1-50:50的范围内。

13.根据权利要求11所述的电荷转移盐，其中所述有机半导体是聚合物。

14.根据权利要求13所述的电荷转移盐，其中所述聚合物是共轭聚合物。

15.根据权利要求1或2所述的电荷转移盐，其中所述有机半导体是包含第一重复单元的聚合物主链中的重复单元。

16.根据权利要求15所述的电荷转移盐，其中所述有机半导体重复单元:n-掺杂剂的摩尔比在99:1-50:50的范围内。

17.形成根据权利要求11的电荷转移盐的方法，所述方法包括使混合物激活以便使n-掺杂剂掺杂所述有机半导体的步骤。

18.根据权利要求17的方法，该方法包括将所述有机半导体与所述聚合物混合以便形成混合物的步骤，其中在空气中形成所述混合物。

19.根据权利要求17所述的形成电荷转移盐的方法，所述方法包括使聚合物激活以便使n-掺杂剂掺杂所述有机半导体的步骤。