[发明专利]超紧凑超宽带双极化基站天线

权利要求书

1.一种辐射元件，包括：

支撑结构(2)，

布置在所述支撑结构(2)上的第一偶极子(4)，以及

布置在所述支撑结构(2)上的至少一个第一电闭合环(12)，

其中，所述第一电闭合环(12)围绕所述第一偶极子(4)并且与所述第一偶极子(4)电隔离，

其中，所述第一偶极子(4)的谐振频率高于所述辐射元件的工作带宽的中心频率，以及

其中，所述第一电闭合环(12)是浮置的。

2.根据权利要求1所述的辐射元件，其中，所述第一偶极子(4)的所述谐振频率高于所述辐射元件的所述工作带宽的上限。

3.根据权利要求1所述的辐射元件，其中，所述第一偶极子(4)被布置在第一水平层，并且所述第一电闭合环(12)被布置在第二水平层，其中，所述第一水平层和所述第二水平层之间的垂直距离小于所述第一偶极子的电长度的5％。

4.根据权利要求1所述的辐射元件，其中，所述支撑结构(2)包括印刷电路板PCB，其中，所述第一偶极子(4)在所述PCB的一个面上形成，并且所述至少一个第一电闭合环(12)在所述PCB的所述面、所述PCB的相对面或所述PCB的中间层上形成，或者，其中，所述第一偶极子(4)在所述PCB的中间层形成并且所述第一电闭合环(12)在所述PCB的顶面或底面上形成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的辐射元件，具有布置在所述支撑结构(2)上的第二电闭合环(14)，其中，所述第二电闭合环(14)围绕所述第一偶极子(4)并且与所述第一偶极子(4)电隔离。

6.根据权利要求5所述的辐射元件，其中，所述第二电闭合环(14)布置在第三水平层，所述第三水平层到布置所述第一偶极子(4)的第一层的垂直距离不超过所述第一偶极子(4)的总长度的5％。

7.根据权利要求6所述的辐射元件，其中，所述支撑结构(2)是印刷电路板PCB，所述第一电闭合环(12)在所述PCB的顶面形成，并且所述第二电闭合环(14)在所述PCB底面形成。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的辐射元件，其中，所述辐射元件被配置为安装在反射器(32)上，并且所述辐射元件还包括：

另一支撑结构，被配置为当所述辐射元件安装到所述反射器上时，将所述支撑结构提升到所述反射器的上方。

9.根据权利要求8所述的辐射元件，其中，所述另一支撑结构包括第一偶极脚对(24)，其中，所述第一偶极脚对(24)具有连接到所述第一偶极子(4)的至少4个电连接点或电容连接点。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的辐射元件，还包括第二偶极子(6)，所述第二偶极子(6)布置在所述支撑结构(2)上的与所述第一偶极子(4)相同的水平层，所述第二偶极子(6)的长度延伸的方向垂直于所述第一偶极子(4)的长度延伸的方向。

11.根据权利要求10所述的辐射元件，还包括针对所述第一偶极子(4)的第一偶极脚对(24)以及针对所述第二偶极子(6)的第二偶极脚对(26)，所述第一偶极脚对(24)和所述第二偶极脚对(26)彼此垂直布置，所述第一偶极脚对和第二偶极脚对(24；26)分别由粘附在一起的第一PCB和第二PCB组成。

12.根据权利要求11所述的辐射元件，其中，所述第一偶极脚对和/或第二偶极脚对(24；26)与所述第一偶极子和/或第二偶极子(4；6)电或电容连接。