[发明专利]液处理装置有效
| 申请号: | 201680066935.7 | 申请日: | 2016-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN108292597B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
| 发明(设计)人: | 入山哲郎;梅野慎一;高木康弘;佐藤尊三 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种液处理装置,其特征在于,包括:
使用处理液处理基片的处理部;
对所述处理部供给第1处理液的第1供给通路;
用于对所述第1供给通路供给第1处理液的第1设备;
对所述处理部供给比所述第1处理液温度高的第2处理液的第2供给通路;
用于对所述第2供给通路供给第2处理液的第2设备;
收纳所述处理部的壳体;和
与所述壳体相邻的外部壳体,其收纳所述第1设备和所述第2设备,
所述外部壳体在所述第1设备与所述第2设备之间具有分隔壁。
2.如权利要求1所述的液处理装置,其特征在于:
所述处理部包括第1处理部和第2处理部,
所述壳体包括与所述第1处理部和所述第2处理部相邻的运送部,该运送部对所述第1处理部和所述第2处理部送入送出所述基片,
所述外部壳体与所述第1处理部相邻。
3.如权利要求2所述的液处理装置,其特征在于:
所述外部壳体包括:与所述第1处理部相邻的供给部;和与所述运送部相邻并且与所述供给部也相邻的接口部,
所述第2供给通路包括:对所述第1处理部供给所述第2处理液的第一个第2供给通路;和对所述第2处理部供给所述第2处理液的第二个第2供给通路,
所述第一个第2供给通路和所述第二个第2供给通路经由所述接口部连接于所述壳体。
4.如权利要求3所述的液处理装置,其特征在于:
所述第1供给通路不经由所述接口部地与所述第1处理部连接。
5.如权利要求1所述的液处理装置,其特征在于:
所述第1设备包括调节在所述第1供给通路中流通的所述第1处理液的流量的阀,
所述第2设备包括:贮存所述第2处理液的罐;将贮存在所述罐中的所述第2处理液向所述第2供给通路输送的泵;从在所述第2供给通路中流通的所述第2处理液除去异物的过滤器;和对在所述第2供给通路中流通的所述第2处理液进行加热的加热器。
6.如权利要求5所述的液处理装置,其特征在于:
所述处理部包括第1处理部和第2处理部,
所述第2供给通路包括:对所述第1处理部供给所述第2处理液的第一个第2供给通路;和对所述第2处理部供给所述第2处理液的第二个第2供给通路,
所述泵包括:将贮存在所述罐中的所述第2处理液向所述第一个第2供给通路送出的第1泵;和将贮存在所述罐中的所述第2处理液向所述第二个第2供给通路送出的第2泵,
所述过滤器包括:从在所述第一个第2供给通路中流通的所述第2处理液除去异物的第1过滤器;和从在所述第二个第2供给通路中流通的所述第2处理液除去异物的第2过滤器,
所述加热器包括:对在所述第一个第2供给通路中流通的所述第2处理液进行加热的第1加热器;和对在所述第二个第2供给通路中流通的所述第2处理液进行加热的第2加热器,
所述第1泵、所述第1过滤器和所述第1加热器,以及所述第2泵、所述第2过滤器和所述第2加热器分别以在高度方向上排列的方式配置,并且关于通过所述罐的铅垂轴对称地配置。
7.如权利要求6所述的液处理装置,其特征在于:
在所述外部壳体中,所述第一个第2供给通路的比所述第1加热器靠下游侧的流路和所述第二个第2供给通路的比所述第2加热器靠下游侧的流路,在比所述铅垂轴远离所述壳体的位置彼此靠近地配置。
8.如权利要求1所述的液处理装置,其特征在于:
所述第2供给通路是循环路径。
9.如权利要求1所述的液处理装置,其特征在于:
所述外部壳体被所述分隔壁分隔为靠近所述壳体的第1区域和比所述第1区域距所述壳体较远的第2区域,在所述第1区域中收纳所述第1设备,在所述第2区域中收纳所述第2设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





