[发明专利]VUV光学器件的非接触式热测量

权利要求书

1.一种设备，其包括：

第一光学元件，其被安置在基于光学的测量系统的一定量的主要测量光的光学路径中，其中所述一定量的主要测量光在所述第一光学元件的第一部分上入射在所述第一光学元件上，其中所述第一光学元件由在8微米到15微米范围内的长波长红外波长下具有低发射率的材料构成；

在所述长波长红外波长下具有高发射率的第一量的材料，其在所述第一光学元件的与所述第一光学元件的第一部分分离的第二部分上安置在所述第一光学元件上；及

红外相机系统，其经配置以利用具有在8微米到15微米范围内的波长的长波红外光来对所述第一光学元件执行基于IR的温度测量，其中所述第一光学元件的所述第二部分处于所述红外相机系统的视场中。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一光学元件大致上透射或大致上反射具有在8微米到15微米范围内的波长的长波红外光。

3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

第二光学元件，其被安置在所述一定量的主要测量光的所述光学路径中，其中所述一定量的主要测量光在所述第二光学元件的第一部分上入射在所述第二光学元件上，其中所述第二光学元件由在8微米到15微米范围内的长波长红外波长下具有低发射率的材料构成；

在所述长波长红外波长下具有高发射率的第二量的材料，其在所述第二光学元件的与所述第二光学元件的第一部分分离的第二部分上安置在所述第二光学元件上，其中所述第二光学元件的所述第二部分位于所述红外相机系统的所述视场中，且其中所述红外相机系统进一步经配置以利用所述长波长红外光对所述第二光学元件执行IR温度测量。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述长波长红外光通过所述第一光学元件透射到所述第二光学元件的所述第二部分。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一光学元件的所述第二部分包含所述第一光学元件的未处于所述一定量的主要测量光的所述光学路径中的前表面的部分及所述第一光学元件的未处于所述一定量的主要测量光的所述光学路径中的后表面的部分。

6.根据权利要求1所述的设备，其中在所述长波长红外波长下具有高发射率的所述材料是氧化物材料。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一光学元件的形状经优化以最小化来自入射在所述第一光学元件的所述第二部分上的所述主要测量光的杂散光的量。

8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

计算系统，其经配置以基于由所述红外相机系统执行的所述基于IR的温度测量来估计所述一定量的主要测量光的强度。

9.一种测量系统，其包括：

照明源，其经配置以产生一定量的主要照明光；

照明光学器件子系统，其经配置以将所述主要照明光投射到样本的表面上，所述照明光学器件子系统包含：

第一光学元件，其被安置在所述一定量的主要测量光的光学路径中，其中所述一定量的主要测量光在所述第一光学元件的第一部分上入射在所述第一光学元件上，其中所述第一光学元件由在8微米到15微米范围内的长波长红外波长下具有低发射率的材料构成；

在所述长波长红外波长下具有高发射率的第一量的材料，其在所述第一光学元件的与所述第一光学元件的第一部分分离的第二部分上安置在所述第一光学元件上；及

红外相机系统，其经配置以利用具有在8微米到15微米范围内的波长的长波红外光来对所述第一光学元件执行基于IR的温度测量，其中所述第一光学元件的所述第二部分处于所述红外相机系统的视场中。

10.根据权利要求9所述的测量系统，其中所述第一光学元件大致上透射或大致上反射具有在8微米到15微米范围内的波长的长波红外光。