[发明专利]增强的引导表面波导探头在审
申请号: | 201680065533.5 | 申请日: | 2016-08-16 |
公开(公告)号: | CN108352612A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | J.F.科勒姆;K.L.科勒姆 | 申请(专利权)人: | CPG技术有限责任公司 |
主分类号: | H01Q9/04 | 分类号: | H01Q9/04;H02J50/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张晓明 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 传导介质 引导表面 探头 波导 激励电压 可变电容 馈送网络 耦合到 关联 波导模式 端子定位 相位延迟 电场 地平面 入射角 复数 阻抗 匹配 | ||
1.一种方法,包括:
将电荷端子定位在有损传导介质上方既定高度处,所述电荷端子包括通过可变电容耦合到下部端子部分的上部端子部分;
调整连接到所述电荷端子的馈送网络的相位延迟(Φ),以匹配对应于与所述有损传导介质相关联的复数布鲁斯特入射角(θi,B)的波倾斜角(Ψ);
基于与所述有损传导介质相关联的镜像地平面阻抗(Zin)来调整电荷端子的可变电容;以及
经由所述馈送网络用激励电压激励所述电荷端子,其中所述激励电压建立沿着所述有损传导介质的表面耦合到引导表面波导模式中的电场。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述电荷端子的可变电容基于所述镜像地平面阻抗(Zin)的电抗分量来调整。
3.如权利要求1或2中任一项所述的方法,其中调整所述电荷端子的可变电容,以使所述镜像地平面阻抗(Zin)的电抗分量与与所述馈送网络和所述电荷端子相关联的结构阻抗(Zbase)匹配。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述馈送网络的相位延迟(Φ)在调整所述电荷端子的可变电容时是固定的。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法,其中所述馈送网络包括耦合到所述电荷端子的馈送线导体、以及耦合在所述有损传导介质与所述馈送线导体之间的线圈,其中所述馈送网络的相位延迟(Φ)包括与所述馈送线导体相关联的相位延迟(θy)和与所述线圈相关的相位延迟(θc)。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法,其中与所述有损传导介质相关联的复数布鲁斯特入射角(θi,B)基于所述激励电压的操作频率和所述有损传导介质的特性。
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法,其中所述镜像地平面阻抗(Zin)至少部分地基于所述有损传导介质的物理边界与传导镜像地平面之间的相移(θd)。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述有损传导介质的物理边界与所述传导镜像地平面被复数深度分开。
9.如权利要求1-8中任一项所述的方法,包括:
感测所述有损传导介质的特性的改变;
响应于所述有损传导介质的特性的改变,调整连接到所述电荷端子的所述馈送网络的相位延迟(Φ)以匹配修改后的波倾斜角,所述修改后的波倾斜角对应于与具有改变后的特性的有损传导介质相关联的复数布鲁斯特入射角;以及
基于新镜像地平面阻抗来调整所述电荷端子的可变电容,其中所述新镜像地平面阻抗基于具有所述改变后的特性的有损传导介质。
10.如权利要求1-9中任一项所述的方法,其中所述有损传导介质是陆地介质。
11.一种引导表面波导探头,包括:
电荷端子,在有损传导介质上升高,所述电荷端子包括通过可变电容耦合到下部端子部分的上部端子部分;以及
馈送网络,被配置为将激励源耦合到所述电荷端子,所述馈送网络被配置为向所述电荷端子提供具有匹配与复数布鲁斯特入射角(θi,B)相关联的波倾斜角(Ψ)的相位延迟(Φ)的电压,其中复数布鲁斯特入射角(θi,B)与所述有损传导介质相关联,并且所述可变电容基于与所述有损传导介质相关联的镜像地平面阻抗(Zin)来确定。
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