[发明专利]全局电功率倍增

权利要求书

1.一种全局功率倍增器，包括：

第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头，其被配置为以限定频率沿着有损传导介质的表面发射同步引导表面波，所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头以等于所述限定频率的四分之一波长的距离分离；以及

至少一个激励源，其被配置为以所述限定频率激励所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头，其中在所述限定频率处所述第二引导表面波导探头的激励相对于在所述限定频率处所述第一引导表面波导探头的激励为90度异相。

2.根据权利要求1所述的全局能量倍增器，其中，所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头包括在所述有损传导介质上升高的电荷端子，所述电荷端子被配置为产生至少一个合成场，所述合成场合成以所述有损传导介质的复布鲁斯特入射角(θ_i,B)入射的波前。

3.根据权利要求2所述的全局功率倍增器，其中，所述电荷端子是多个电荷端子中的一个。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的全局功率倍增器，其中，所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头包括电耦合到电荷端子的馈送网络，所述馈送网络提供与波倾斜角(Ψ)相匹配的相位延迟(Φ)，所述波倾斜角(Ψ)与复布鲁斯特入射角(θ_i,B)相关联，所述复布鲁斯特入射角(θ_i,B)与在引导表面波导探头附近的所述有损传导介质相关联。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的全局功率倍增器，包括耦合控制系统，其被配置为协调所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头的操作以发射所述同步引导表面波。

6.根据权利要求5所述的全局功率倍增器，其中，所述耦合控制系统被配置为协调提供给所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头的激励，以在所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头的激励之间产生所述90度异相。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的全局功率倍增器，其中，通过分离的激励源将激励提供给所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的全局功率倍增器，包括与所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头对准的接收电路，所述接收电路被配置为从由所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头发射的所述同步引导表面波中提取至少一部分电能。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的全局功率倍增器，包括与所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头对准的第三引导表面波导探头和第四引导表面波导探头，所述第三引导表面波导探头和第四波导探头被配置为以所述限定频率沿着所述有损传导介质的表面发射同步引导表面波，所述第三引导表面波导探头和第四引导表面波导探头以等于所述限定频率的四分之一波长的距离分离，并且所述第一引导表面波导探头和第三引导表面波导探头以等于所述限定频率的整数倍波长的距离分离。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的全局功率倍增器，其中所述有损传导介质是陆地介质。

11.一种用于全局功率倍增的方法，包括：

通过以限定频率激励第一引导表面波导探头，沿着有损传导介质的表面发射引导表面波；以及

通过激励与所述第一引导表面波导探头以等于限定频率的四分之一波长的距离分离的第二引导表面波导探头，沿着所述有损传导介质的表面发射同步引导表面波，所述第二引导表面波导探头在相对于所述第一引导表面波导探头的激励为90度异相的限定频率处被激励，所述同步引导表面波产生在由所述第一引导表面波导探头和第二引导表面波导探头的对准限定的方向上沿着所述有损传导介质的表面传播的行波。