[发明专利]用于指纹感测的图像传感器结构有效
| 申请号: | 201680065199.3 | 申请日: | 2016-10-05 |
| 公开(公告)号: | CN108352396B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
| 发明(设计)人: | Y.S.李;P.维克波尔德特;P.史密斯;R.J.戈夫;J.古德勒 | 申请(专利权)人: | 天津极豪科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06V40/13;G02B27/30 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 吕爱霞 |
| 地址: | 300450 天津市滨海新区滨*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 指纹 图像传感器 结构 | ||
1.一种制作光学生物测量传感器的方法,包括:
在图像传感器晶片上形成准直器滤光器层,其中所述准直器滤光器层中的多个光准直孔口与所述图像传感器晶片中的多个光感测元件对准;以及
在所述图像传感器晶片上形成所述准直器滤光器层之后,将所述图像传感器晶片分离成多个单独的光学传感器,
其中所述形成所述准直器滤光器层包括在所述图像传感器晶片的正面上设置的一或多个再分布层中形成用于所述图像传感器晶片的光感测元件的所述多个光准直孔口和路由电路,且其中每一个光准直孔口的深度与所述每一个光准直孔口的直径的纵横比在 3:1到100:1 的范围中。
2.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述多个光准直孔口包括在所述一或多个再分布层中的所述光准直孔口的侧壁上涂敷光吸收材料。
3.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述多个光准直孔口包括蚀刻所述图像传感器晶片的所述正面中的被选择的部分。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述在所述图像传感器晶片上形成所述准直器滤光器层包括:
形成具有所述多个光准直孔口的准直器滤光器晶片;以及
将所述准直器滤光器晶片附连到所述图像传感器晶片。
5.根据权利要求4所述的方法,其中形成所述准直器滤光器晶片包括:
提供具有背面和与所述背面相对的经抛光的正面的晶片基板,所述晶片基板具有初始厚度;
在所述经抛光的正面上形成图案化的掩模层,所述图案化的掩模层具有曝光所述晶片基板的所述正面的多个曝光孔;
从所述背面打薄所述晶片基板到小于所述初始厚度的目标厚度;以及
蚀刻所述晶片基板的所述正面来形成与所述图案化的掩模层中的所述多个曝光孔对应的所述多个光准直孔口,所述光准直孔口中的每一个整体地延伸通过所述晶片基板的所述目标厚度。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括:
在打薄所述晶片之前将第一支承结构附连到所述经抛光的正面;
在打薄所述晶片之后将所述第一支承结构从所述正面分离;
在蚀刻所述正面之前将第二支承结构附连到所述背面;以及
在所述蚀刻所述正面之后将所述第二支承结构从所述背面分离。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述第一支承结构和所述第二支承结构均包括UV胶带。
8.根据权利要求5所述的方法,其中所述初始厚度大于500μm,并且所述目标厚度在30μm与300μm之间。
9.根据权利要求5所述的方法,还包括在所述蚀刻所述晶片基板的所述正面期间或者在形成所述图案化的掩模层期间,在所述晶片基板的所述正面上创建基准对准标记。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述将所述准直器滤光器晶片附连到所述图像传感器晶片包括:
将所述晶片基板的所述正面上的所述基准对准标记与所述图像传感器晶片上的基准标记对准;以及
将所述准直器滤光器晶片接合到所述图像传感器晶片。
11.根据权利要求5所述的方法,其中形成所述图案化的掩模层包括在所述经抛光的正面上形成掩模材料层以及图案化所述掩模材料层来形成具有所述多个曝光孔的所述图案化的掩模层。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述掩模材料层包括光刻胶材料。
13.根据权利要求4所述的方法,其中形成所述准直器滤光器晶片包括形成多个划线对,每一个划线对限定所述准直器滤光器晶片中的其间的移除区,其中所述图像传感器晶片包括在所述准直器滤光器晶片的所述移除区之下的接合垫片对。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





