[发明专利]发光元件及其制造方法以及发光方法

权利要求书

1.一种发光元件，在该发光元件中，由第一电极和第二电极夹持至少包含第一发光层、第二发光层和第三发光层的功能层，所述发光元件的特征在于：

所述第一发光层在所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中发光峰值波长最短，且含有主体材料和TTF材料中的至少所述TTF材料，该TTF材料为与该主体材料协同地或者单独地产生TTF现象的延迟荧光材料，

所述第二发光层与所述第一发光层相邻地设置在所述第一发光层与所述第三发光层之间，且至少含有热活化延迟荧光材料，

所述第三发光层在所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中发光峰值波长最长，且至少含有荧光材料，

所述第一发光层中含有的所述主体材料和TTF材料中的至少一者的激发三重态能级低于所述第二发光层中含有的所述热活化延迟荧光材料的激发三重态能级，

所述第二发光层中生成的激子的能量通过德克斯特型的能量转移向所述第一发光层转移，所述第二发光层中生成的激子的能量通过福斯特型的能量转移向所述第三发光层转移，从而所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层分别发光。

2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于：

从所述第二发光层的所述热活化延迟荧光材料的激发三重态能级向所述第一发光层的所述TTF材料的激发三重态能级发生所述德克斯特型的能量转移，从所述TTF材料的激发三重态能级向所述TTF材料的激发单重态能级发生再激发，从所述第二发光层的所述热活化延迟荧光材料的激发单重态能级向所述第三发光层的荧光材料的激发单重态能级发生所述福斯特型的能量转移。

3.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于：

所述第二发光层的层厚为20nm以下。

4.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于：

所述第一电极为阳极，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层从所述第一电极侧起依次设置，

所述第一发光层含有空穴迁移率高于电子迁移率的材料，所述第二发光层和所述第三发光层含有电子迁移率高于空穴迁移率的材料。

5.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于：

所述第一电极为阴极，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层从所述第一电极侧起依次设置，

所述第一发光层含有电子迁移率高于空穴迁移率的材料，所述第二发光层和所述第三发光层含有空穴迁移率高于电子迁移率的材料。

6.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于：

所述第二发光层中含有的混合比率最高的材料的HOMO能级高于所述第一发光层中含有的混合比率最高的材料的HOMO能级。

7.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于：

所述第二发光层中含有的混合比率最高的材料的HOMO能级高于所述第三发光层中含有的混合比率最高的材料的HOMO能级。

8.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于：

所述第二发光层中含有的混合比率最高的材料的LUMO能级低于所述第一发光层中含有的混合比率最高的材料的LUMO能级。

9.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于：

所述第二发光层中含有的混合比率最高的材料的LUMO能级低于所述第三发光层中含有的混合比率最高的材料的LUMO能级。

10.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于：

所述第一发光层的层厚小于5nm，所述第一发光层中的所述TTF材料的含有比率大于50％。