[发明专利]摄像元件、摄像方法和电子设备有效
| 申请号: | 201680064367.7 | 申请日: | 2016-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN108293100B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
| 发明(设计)人: | 西田祐辅 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 元件 方法 电子设备 | ||
本技术涉及允许高快地处理的摄像元件、摄像方法及电子设备。本技术设有:列AD信号处理部,其具有针对各个像素列而设置的、对从像素输出的像素信号执行AD转换的AD转换部,布置在该同一列中的多个像素经由垂直信号线连接至该AD转换部;以及生成斜坡信号的斜坡信号生成部。与对经由给定数量的垂直信号线之中的一部分垂直信号线而被连接的像素执行的复位操作或信号传输操作并行地,所述AD转换部对从经由其他垂直信号线而被连接的像素输出的像素信号执行AD转换操作。这些操作是被交替且重复地执行的。斜坡信号被控制成:其被供给至对从像素输出的像素信号执行AD转换的AD转换部,而不供给至不执行AD转换的AD转换部。本技术例如适用于CMOS图像传感器。
技术领域
本技术涉及摄像元件、摄像方法和电子设备,更具体地,涉及能够实现更加高速化的摄像元件、摄像方法和电子设备。
背景技术
过去,诸如CCD(电荷耦合器件:Charge Coupled Device)和CMOS(互补金属氧化物半导体:Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器等摄像元件已经被用于诸如数码相机和数字摄像机等具有摄像功能的电子设备中。
摄像元件具有包括进行光电转换的PD(光电二极管:photodiode)且包括多个晶体管的像素,并且基于从呈平面状布置着的多个像素输出的像素信号来构建图像。此外,从像素输出的像素信号由例如对应于各个像素列而布置着的多个AD(模拟-数字:Analog toDigital)转换器并行地进行AD转换然后被输出。
在这样的摄像元件中,已经提出了一种通过在向下计数模式和向上计数模式中执行计数处理来使得AD转换处理更加高速化的摄像元件(例如,参考专利文献1)。
此外,已经提出了一种通过多次重复地对处于复位电平的像素信号和处于信号电平的像素信号执行AD转换来降低噪声的摄像元件(例如,参考专利文献2)。
[引用文献列表]
[专利文献]
[专利文献1]:日本专利申请特开JP 2005-303648A
[专利文献2]:日本专利申请特开JP 2009-296423A
发明内容
要解决的技术问题
顺便提及地,对于摄像元件来说,强烈要求能够将像素信号更加快速地读出。如上所述,可以通过增加列并行AD转换器的并行数量来实现更加高速化。
然而,各个AD转换器具有各自的电容。随着AD转换器的数量的增加,就存在这样的可能性:由于并行地布置着的列并行AD转换器的总电容值增加了,因此更容易产生误差。即,在通过CDS方式进行信号读出的情况下,复位电平的判定时间是在全部的AD转换器中集中地进行的,而信号电平的判定时间是有差异的。由于这种差异,CDS值就可能会出现误差。
本技术是鉴于上述情况而设计的,并且本技术的目的是在实现更加高速化的同时,还能使所产生的误差处于最小程度。
解决方案
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