[发明专利]合并式盖环

说明书

本公开内容大体涉及大体涉及用于进行半导体器件制造的设备，且更特定而言，涉及用于在高密度等离子体化学气相沉积处理中部分覆盖基板支撑件的表面的盖环。在一个实施方式中，盖环可包括环形主体、内支撑块、一或多个隔热部、倒圆肩部、外唇部、垂直附属部分和导热涂层，内支撑块具有用于稳定性的斜面第一边缘，一或多个隔热部用以增加朝向外径的热移动，倒圆肩部用以防止颗粒沉积，外唇部被配置于基板支撑基座，垂直附属部分用以支撑基板，导热涂层设置在环形环上以朝向环的外边缘引导导热性并防止颗粒累积。

技术领域

本公开内容的实施方式大体涉及半导体处理设备。更特定而言，本公开内容的实施方式涉及适合用于高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)基板处理等用途的合并式盖环。

背景技术

使用高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)在薄膜基板上制造现代半导体器件包含通过将射频能量施加于基板表面附近的反应区域而在低真空压力下激发和/或分解反应气体，从而产生等离子体。在等离子体处理期间，一些处理配件可在材料沉积或蚀刻期间用于保护基板支撑件。

然而，处理配件的部件，特别是靠近基板的边缘环或盖环，也可能由来自处理的沉积材料覆盖。这些材料可包括腐蚀性材料，诸如氧化物或氟化物及类似物，且可能会损坏基板支撑件。这些材料还可能从基板支撑件剥落并污染正在处理的基板。此外，基板支撑件暴露的金属表面可能在等离子体处理中产生电弧及产生基板和/或腔室的金属污染。在某些处理中，靠近基板边缘从基板溅射下来的材料可能沉积在基板边缘附近的盖环上，从而增加在处理配件上的材料累积并缩短清洁之间的平均时间。

因此，在本领域中对于改良的盖环有所需求。

发明内容

在一个实施方式中，揭示了一种盖环。盖环可包括环形主体，所述环形主体具有第一表面、实质平行于所述第一表面的第二表面、内边缘和外边缘。支撑块可从环形主体延伸，并界定第二表面的至少一部分。支撑块可具有从环形主体的内边缘延伸至环形主体的第二表面的斜面(beveled)边缘。一或多个隔热部(thermal break)可相邻于支撑块且从支撑块径向向外而形成于环形主体上，且倒圆(rounded)肩部可从环形主体的第一表面延伸至环形主体的外边缘。唇部可靠近外边缘设置且从倒圆肩部向下延伸，且槽可相邻所述唇部而形成于环形主体中。槽可设置在外边缘与一或多个隔热部之间。盖环还具有垂直附属部分(appendage)，所述垂直附属部分包括第三表面、第四表面和斜面边缘，所述第三表面从所述第一表面延伸且实质平行于所述内边缘，所述第四表面正交于所述内边缘，所述斜面边缘设置在所述第三表面与所述第四表面之间。导热涂层亦可设置在环形主体的第二表面上。

在另一个实施方式中，盖环可包括环形主体，所述环形主体具有第一表面、实质平行于所述第一表面的第二表面、内边缘和外边缘。支撑块可从环形主体延伸，并界定第二表面的至少一部分。支撑块可具有从环形主体的内边缘延伸至环形主体的第二表面的斜面边缘。一或多个隔热部可相邻于支撑块且从支撑块径向向外而形成于环形主体上，且倒圆肩部可从环形主体的第一表面延伸至环形主体的外边缘。唇部可靠近外边缘设置且从倒圆肩部向下延伸，且槽可相邻所述唇部而形成于环形主体中。槽可设置在外边缘与一或多个隔热部之间。盖环还可具有垂直附属部分，所述垂直附属部分包括第三表面、第四表面和斜面边缘，所述第三表面从所述第一表面延伸且实质平行于所述内边缘，所述第四表面正交于所述内边缘，所述斜面边缘设置在所述第三表面与所述第四表面之间。导热涂层亦可设置在环形主体的第一表面和环形主体的第二表面上。