[发明专利]透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201680063178.8 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN108352216A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 藤野望;梨木智刚 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B7/02;B32B9/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无机层 透光性导电薄膜 透光性导电层 透光性基材 调光薄膜 水接触角 制造 | ||
1.一种透光性导电薄膜，其特征在于，其依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层，
所述无机层的厚度为20nm以下，
所述无机层的水接触角为50度以下。
2.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，在形成所述无机层后经过80小时以上后的所述无机层的水接触角为50度以下。
3.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述无机层由无机氧化物形成。
4.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层具有铟系导电性氧化物层，
所述铟系导电性氧化物层的厚度为50nm以下。
5.一种透光性导电薄膜的制造方法，其包括如下工序：
准备透光性基材的工序(1)；
在所述透光性基材的表面形成透光性导电层的工序(2)；
在所述透光性导电层的表面形成无机层的工序(3)；
在所述工序(3)之后，蚀刻所述透光性导电层的工序(4)；
所述无机层的厚度为20nm以下，
所述无机层的、在形成所述无机层后经过80小时以上后的水接触角为50度以下。
6.根据权利要求5所述的透光性导电薄膜的制造方法，其特征在于，在所述工序(2)中，形成非晶质的所述透光性导电层，
还包括：在所述工序(3)之后，使非晶质的所述透光性导电层结晶化的工序(5)。
7.一种调光薄膜，其特征在于，依次具备第1透光性导电薄膜、调光功能层和第2透光性导电薄膜，
所述第1透光性导电薄膜和/或所述第2透光性导电薄膜为权利要求1所述的透光性导电薄膜，
所述调光功能层与所述透光性导电薄膜所具备的无机层接触。
8.一种调光薄膜的制造方法，其特征在于，包括如下的工序：
制造2片透光性导电薄膜的工序(6)；
用2片所述透光性导电层夹持调光功能层的工序(7)；
在所述工序(6)中，用权利要求5所述的制造方法制造至少1片所述透光性导电薄膜，
在所述工序(7)中，使所述调光功能层与至少1片所述透光性导电薄膜的无机层接触。
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