[发明专利]具有薄的焊料阻止层的电元器件和用于制造的方法

权利要求书

1.一种电元器件(EB)，其包括

-带有上侧(O)的载体(TR)，

-在所述上侧(O)上的金属接触面(MK)，

-焊料阻止层(LSS)，该焊料阻止层遮盖所述上侧(O)的一部分但是不遮盖接触面(MF)，

其中

-所述焊料阻止层(LSS)具有200nm或更小的厚度。

2.根据上述权利要求所述的元器件，其中所述焊料阻止层(LSS)具有介于30nm和80nm之间的厚度。

3.根据上述权利要求所述的元器件，此外其包括在所述金属接触面(MK)上的凸点球体(BU)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的元器件，此外其包括带有在下侧处的接触面(KF)的电构件(EK)和凸点连接件(BU)，该凸点连接件连接两个接触面(MK，KF)。

5.根据上述权利要求所述的元器件，此外其包括模制物质(MM)，该模制物质遮盖所述载体(TR)的上侧的至少部分和所述电构件(EK)。

6.根据上述权利要求所述的元器件，其中所述模制物质(MM)还填充在所述电构件(EK)和所述载体(TR)之间的中间空间(Z)。

7.根据上述权利要求中任一项所述的元器件，其还包含：

-在所述载体(TR)的上侧(O)处的与所述接触面(MK)连结的第一信号线路(SL)，

-在所述载体(TR)的上侧(O)处的第二信号线路(SL)，其中

-两个信号线路(SL)至少部分地由所述焊料阻止层(LSS)遮盖并且

-在两个信号线路(SL)之间的电阻为100MΩ或更大。

8.根据上述权利要求中任一项所述的元器件，其中所述焊料阻止层(LSS)包括硅作为主要组成部分或由硅制成。

9.根据上述权利要求中任一项所述的元器件，其中在所述载体(TR)的上侧(O)上布置有元器件结构，这些元器件结构具有40μm或更大的高度。

10.一种用于制造电元器件(EB)的方法，其包括步骤

-提供带有上侧(O)的载体(TR)和在所述上侧(O)上的金属接触面(MK)，

-将漆层(FL)布置在所述上侧(O)上且如此使所述漆层(FL)结构化，即使得所述漆层(FL)的材料保持在所述接触面(MK)上且表面(O)的不带有接触面(Mk)的区域不具有所述漆层(FL)的材料，

-将焊料阻止层(LSS)沉积到所述载体(TR)的上侧(O)上，

-移除所述漆层(FL)的剩余的材料连同所述焊料阻止层(LSS)在所述接触面(MK)上的材料。

11.根据上述权利要求所述的方法，其中所述焊料阻止层(LSS)包含200nm或更小的厚度。

12.根据上述权利要求所述的方法，其中所述焊料阻止层(LSS)包含介于20nm和80nm之间的厚度。

13.根据上述三个权利要求中任一项所述的方法，其中所述焊料阻止层(LSS)包括硅作为主要组成部分或由硅制成。

14.根据上述四个权利要求中任一项所述的方法，其中所述电元器件(EB)在所述上侧上具有另外的可焊接的金属表面(LO)且所述焊料阻止层(LSS)直接沉积到所述另外的可焊接的金属表面(LO)上。

15.根据上述五个权利要求中任一项所述的方法，其中所述焊料阻止层(LSS)借助于PVD或CVD施加。