[发明专利]用于低能量辐射量子和高能量辐射量子的组合探测的辐射探测器

权利要求书

1.一种用于低能量辐射量子和高能量辐射量子的组合探测的辐射探测器，所述辐射探测器(8)具有多层结构，包括：

后闪烁体层(5)，其被配置为响应于高能量辐射量子由所述后闪烁体层(5)吸收而发出闪烁光子的爆发；

后光电传感器层(6)，其被附接到所述后闪烁体层(5)的后侧，所述后光电传感器层(6)被配置为探测在所述后闪烁体层(5)中生成的闪烁光子；

前闪烁体层(3)，其被布置在所述后闪烁体层(5)的前面，与所述后光电传感器层(6)相对，所述前闪烁体层(3)被配置为响应于低能量辐射量子由所述前闪烁体层(3)吸收而发出闪烁光子的爆发；以及

前光电传感器层(2)，其被附接到所述前闪烁体层(3)的前侧，与所述后闪烁体层(5)相对，所述前光电传感器层(2)被配置为探测在所述前闪烁体层(3)中生成的闪烁光子；

其中，所述高能量辐射量子是伽马射线，并且所述低能量辐射量子是X射线，

其中，所述后光电传感器层(6)包括在两个维度中的每个中具有后光电传感器层像素间距的二维像素阵列，并且其中，所述前光电传感器层(2)包括在两个维度中的每个中具有前光电传感器层像素间距的二维像素阵列，并且其中，所述后光电传感器层像素间距不等于所述前光电传感器层像素间距。

2.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述X射线具有在20keV至120keV的范围内的能量，并且所述伽马射线具有在120keV至2MeV的范围内的能量。

3.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述前光电传感器层(2)被布置在所述辐射探测器(8)的辐照侧处，其中，所述辐射探测器(8)的所述辐照侧被配置为接收低能量辐射量子和/或高能量辐射量子。

4.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述后闪烁体层(5)包括选自以下组中的至少一种材料：碘化钠、氧正硅酸钆、氧正硅酸钆镥、氧正硅酸镥、氧正硅酸钇镥、焦硅酸镥、锗酸铋、溴化镧，和/或所述前闪烁体层(3)包括选自以下组中的至少一种材料：碘化铯、硫氧化钆、钨酸钙、钨酸镉。

5.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述后闪烁体层(5)和所述前闪烁体层(3)包括相同的材料。

6.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述后闪烁体层(5)和/或所述前闪烁体层(3)包括整体闪烁体。

7.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述后闪烁体层(5)和/或所述前闪烁体层(3)包括像素化闪烁体。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的辐射探测器，还包括插入在所述后闪烁体层(5)与所述前闪烁体层(3)之间的光学解耦层(4)。

9.根据权利要求8所述的辐射探测器，其中，所述光学解耦层(4)被配置为对所述高能量辐射量子是透明的。

10.根据权利要求8所述的辐射探测器，其中，所述光学解耦层(4)与所述后闪烁体层(5)或所述前闪烁体层(3)一体地形成。

11.根据权利要求1-7中的任一项所述的辐射探测器，其中，所述前光电传感器层(2)和/或所述后光电传感器层(6)包括箔基底。

12.根据权利要求1-7中的任一项所述的辐射探测器，其中，所述后光电传感器层(6)包括光电倍增器、雪崩光电二极管或硅光电倍增器，和/或所述前光电传感器层(2)包括薄膜晶体管探测器、CMOS有源像素传感器或硅光电倍增器。

13.根据权利要求1-7中的任一项所述的辐射探测器，其中，所述后光电传感器层(6)经由光导层被附接到所述后闪烁体层(5)的后侧，和/或所述前光电传感器层(2)经由光导层被附接到所述前闪烁体层(3)的前侧。