[发明专利]光电子器件和用于显示器的背景照明装置

权利要求书

1.一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：

-用于产生在蓝色的光谱范围中的初级辐射的半导体芯片(2)，

-转换元件(4)，所述转换元件设置在所述半导体芯片(2)的光路中，并且设计用于从所述初级辐射中产生次级辐射，其中所述转换元件(4)至少包括第一发光材料(9)和第二发光材料(10)，其中所述第一发光材料是Sr(Sr_1-xCa_x)Si₂Al₂N₆:Eu²⁺和/或(Sr_1-yCa_y)[LiAl₃N₄]:Eu²⁺，其中0≤x≤1并且0≤y≤1，

其中从所述器件(100)中射出的总辐射(G)是白色的混合光。

2.根据权利要求1所述的光电子器件(100)，

其中所述第一发光材料(9)Sr(Sr_1-xCa_x)Si₂Al₂N₆:Eu²⁺具有Cx在0.655和0.685之间和Cy在0.300和0.350之间的色度坐标，和/或其中所述第一发光材料(9)Sr(Sr_1-xCa_x)Si₂Al₂N₆:Eu²⁺的发射光谱具有最大82nm的半值宽度。

3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，

其中所述第一发光材料(9)(Sr_1-yCa_y)[LiAl₃N₄]:Eu²⁺具有Cx在0.680和0.715之间和Cy在0.280和0.320之间的色度坐标，和/或其中所述第一发光材料(9)(Sr_1-yCa_y)[LiAl₃N₄]:Eu²⁺的发射光谱具有最大55nm的半值宽度。

4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述第一发光材料的发射的辐射具有在590nm至640nm之间的主波长。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述转换元件(4)具有第二发光材料(10)，所述第二发光材料选自：(Ba，Sr)₂SiO₄、β-SiAlON、(Y，Lu)₃(Al，Ga)₅O₁₂和Ba-SiON，其中所述第二发光材料(10)掺杂有稀土元素，并且设计用于：发射具有出自在510nm和590nm之间的光谱范围的峰值波长的辐射。

6.根据上一项权利要求所述的光电子器件(100)，

其中所述第二发光材料(10)是β-SiAlON。

7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中第一发光材料(9)和所述第二发光材料(10)分散在基体材料(11)中，并且直接设置在所述半导体芯片(2)的辐射出射面的下游。

8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述转换元件(4)成形为由至少两个层(41，42)构成的层系统，其中所述第一层(41)具有所述第一发光材料(9)，并且所述第二层(42)具有所述第二发光材料(10)，其中所述第一层(41)设置在所述半导体芯片(2)和所述第二层(42)之间。