[发明专利]半导体器件、半导体器件封装和包括其的照明系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底包括凹凸图案；

缓冲层，所述缓冲层被设置在所述衬底上；

发光结构，所述发光结构被设置在所述缓冲层上并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和插入在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间以发射紫外光的有源层；

多个空气空隙，所述多个空气空隙被设置在所述缓冲层中；以及

其中，所述空气空隙中的每个包括至少两个倾斜琢面，

其中，所述至少两个倾斜琢面被设置成面对所述发光结构，

其中，所述空气空隙与所述凹凸图案隔开，

其中，所述空气空隙位于所述衬底中的所述凹凸图案的凹形图案上方，

其中，在垂直方向中，所述空气空隙的最下部分被设置在所述衬底中的所述凹凸图案的凸形图案的最上部分上方，

其中，所述空气空隙的宽度等于或小于所述衬底中的所述凹凸图案的所述凹形图案的宽度的一半。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述空气空隙包括邻近于所述第一导电半导体层的第一区域和邻近于所述衬底的第二区域，以及

其中，所述倾斜琢面被设置在所述第一区域中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述衬底和所述空气空隙之间的距离范围是从200nm到300nm。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，在所述衬底和所述空气空隙的第一区域的端部之间的距离范围是从500nm到900nm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述倾斜琢面的最上部分位于邻近所述第一导电半导体层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凹凸图案的凹形图案具有0.5μm的宽度并且所述凹凸图案的凸形图案具有1.2μm的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凹凸图案具有1.2μm的高度，以及

其中，所述空气空隙具有3μm的高度。

8.一种半导体器件封装，包括：

衬底，所述衬底包括凹凸图案；

缓冲层，所述缓冲层被设置在所述衬底的一侧处；

发光结构，所述发光结构被设置在所述缓冲层的一侧处并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；

底座，所述底座被设置成与所述衬底相对；

第一突起，所述第一突起被设置在所述发光结构和所述底座之间并且被电连接到所述第一导电半导体层；

第二突起，所述第二突起被设置在所述发光结构和所述底座之间并且被电连接到所述第二导电半导体层；

其中，所述缓冲层包括多个空气空隙，

其中，所述空气空隙中的每个包括至少两个倾斜琢面，

其中，所述至少两个倾斜琢面被设置成面对所述发光结构，以及

其中，所述空气空隙与所述凹凸图案隔开，

其中，所述空气空隙位于所述衬底中的所述凹凸图案的凹形图案上方，

其中，在垂直方向中，所述空气空隙的最下部分被设置在所述衬底中的所述凹凸图案的凸形图案的最上部分上方，

其中，所述空气空隙的宽度等于或小于所述衬底中的所述凹凸图案的所述凹形图案的宽度的一半。

9.根据权利要求8所述的半导体器件封装，其中，所述空气空隙包括邻近于所述第一导电半导体层的第一区域和邻近于所述衬底的第二区域，以及

其中，至少两个倾斜琢面被设置在所述第一区域中。

10.根据权利要求8所述的半导体器件封装，

其中，第一金属焊盘被插入在所述底座与所述第一突起之间，

其中，第二金属焊盘被插入在所述底座与所述第二突起之间，

其中，第一反射层被设置在所述底座与第一金属焊盘之间，

其中，第二反射层被设置在所述底座与所述第二金属焊盘之间，以及

其中，所述空隙的至少两个倾斜琢面被设置成面向所述第一反射层和所述第二反射层。