[发明专利]偏振元件及其制造方法有效
| 申请号: | 201680060125.0 | 申请日: | 2016-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN108139531B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
| 发明(设计)人: | 武田吐梦;佐川秀人 | 申请(专利权)人: | 迪睿合株式会社 |
| 主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;闫小龙 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 偏振 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种偏振元件,是具有线栅构造的偏振元件,其特征在于具备:
透明基板;以及
格子状凸部,在所述透明基板上以比使用波段的光的波长小的间距排列,并沿既定方向延伸,
所述格子状凸部包含形成在所述透明基板上的反射层,
所述反射层具有金属层和氧化物层,所述氧化物层从所述既定方向来看,覆盖所述金属层的侧面,并由构成所述金属层的金属的氧化物构成,
所述格子状凸部的排列方向的所述格子状凸部的宽度即栅宽度为35~45nm,从所述既定方向来看,当设所述排列方向上的、所述栅宽度中所占的将存在于所述金属层的左侧及右侧的所述氧化物层加在一起的宽度的比例为x时,则为28≤x<48%。
2.如权利要求1所述的偏振元件,其特征在于:
所述格子状凸部进一步包含形成在所述反射层上的电介质层、和形成在所述电介质层上的吸收层。
3.如权利要求1或2所述的偏振元件,其特征在于:
光入射的所述偏振元件的表面被由电介质构成的保护膜覆盖。
4.如权利要求1或2所述的偏振元件,其特征在于:
所述氧化物层越靠近最表面,构成所述金属层的金属的氧化的程度越高。
5.一种偏振元件的制造方法,该偏振元件是具有线栅构造的偏振元件,所述制造方法包含:
在透明基板上形成以比使用波段的光的波长小的间距排列并沿既定方向延伸的形成格子状凸部用的金属层的工序;
在所述金属层上形成电介质层的工序;
在所述电介质层上形成吸收层的工序;以及
在形成所述吸收层后,使所述金属层氧化而在所述金属层的侧面形成由构成所述金属层的金属的氧化物构成的氧化物层的工序,
所述格子状凸部的排列方向的所述格子状凸部的宽度即栅宽度为35~45nm,从所述既定方向来看,当设所述排列方向上的、所述栅宽度中所占的将存在于所述金属层的左侧及右侧的所述氧化物层加在一起的宽度的比例为x时,则为28≤x<48%。
6.如权利要求5所述的偏振元件的制造方法,其特征在于:
在形成所述氧化物层的工序中,通过热处理来氧化所述金属层。
7.如权利要求6所述的偏振元件的制造方法,其特征在于:
所述氧化物层越靠近最表面,构成所述金属层的金属的氧化的程度越高。
8.一种偏振元件的制造方法,其中所述偏振元件具备透明基板、和在所述透明基板上以比使用波段的光的波长小的间距排列并沿既定方向延伸的格子状凸部,并具有所述格子状凸部的排列方向的所述格子状凸部的宽度即栅宽度为35~45nm的线栅构造,在入射光为绿色波段的光(波长λ=520nm~590nm)的情况下具有透射轴透射率为93.5%以上的透射特性,所述偏振元件的制造方法包含:
在所述透明基板上形成以比使用波段的光的波长小的间距排列并沿所述既定方向延伸的金属层的工序;
在所述金属层上形成电介质层的工序;
在所述电介质层上形成吸收层的工序;以及
在形成所述吸收层后,使所述金属层氧化而在所述金属层的侧面形成由构成所述金属层的金属的氧化物构成的氧化物层的工序,从所述既定方向来看,当设所述排列方向上的、所述栅宽度中所占的将存在于所述金属层的左侧及右侧的所述氧化物层加在一起的宽度的比例为x时,形成在28≤x<48%的范围且满足所述透射特性的厚度的所述氧化物层。
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