[发明专利]含有含长链烷基的酚醛清漆的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含由芳香族化合物(A)与醛(B)反应而得的酚醛清漆树脂，所述醛(B)具有结合于碳原子数2～26的烷基的仲碳原子或叔碳原子的甲酰基，

该酚醛清漆树脂是包含下述式(1)所示的结构单元的树脂，

式(1)中，A表示由包含芳基胺化合物、酚化合物、或这两者的碳原子数6～40的芳香族化合物衍生的二价基团，b¹表示碳原子数1～16的烷基，b²表示氢原子或碳原子数1～9的烷基，

并且，该酚醛清漆树脂是包含下述式(2)所示的结构单元的树脂，

式(2)中，a¹和a²分别表示可以被取代的苯环或萘环，R¹表示仲氨基或叔氨基、可以被取代的碳原子数1～10的二价烃基、亚芳基、或这些基团任意结合而成的二价基团，b³表示碳原子数1～16的烷基，b⁴表示氢原子或碳原子数1～9的烷基。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，A是由苯胺、二苯胺、苯基萘胺、羟基二苯胺、咔唑、酚、N,N’-二苯基乙二胺、N,N’-二苯基-1,4-苯二胺或多核酚衍生的二价基团。

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，多核酚是二羟基苯、三羟基苯、羟基萘、二羟基萘、三羟基萘、三(4-羟基苯基)甲烷、三(4-羟基苯基)乙烷、2,2’-联苯酚或1,1,2,2-四(4-羟基苯基)乙烷。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还包含酸和/或产酸剂。

5.根据权利要求1～3的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还包含交联剂。

6.根据权利要求4所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还包含交联剂。

7.抗蚀剂下层膜的形成方法，通过将权利要求1～6的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在具有高低差的半导体基板上然后烧成，从而该基板的具有高低差的部分与不具有高低差的部分的涂面高低差变成3～73nm。

8.用于半导体的制造的抗蚀剂图案的形成方法，包括将权利要求1～6的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上然后烧成从而形成下层膜的工序。

9.一种半导体装置的制造方法，包括：

由权利要求1～6的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序，

在该下层膜上形成抗蚀剂膜的工序，

通过照射光或电子束以及显影，从而形成抗蚀剂图案的工序，

利用形成的抗蚀剂图案对该下层膜进行蚀刻的工序，和

利用图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

由权利要求1～6的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序，

在该下层膜上形成硬掩模的工序，

进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序，

通过照射光或电子束以及显影，从而形成抗蚀剂图案的工序，

利用形成的抗蚀剂图案对该硬掩模进行蚀刻的工序，

利用图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序，和

利用图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

11.根据权利要求10所述的制造方法，硬掩模是通过无机物的蒸镀而形成的。