[发明专利]离子源溅射

权利要求书

1.一种离子源，其包括：

电极(1)；

反电极(2)；

装置(3)，其用于在所述电极(1)和所述反电极(2)之间产生电势；

一个或多个磁体(4)，其被布置为使用时限制在施加所述电势时在所述电极(1)周围产生的等离子体；以及

孔隙，其在所述反电极中，来自所述等离子体的离子通过所述孔隙逸出；

其特征在于：用于在所述电极(1)和所述反电极(2)之间产生电势的装置(3)包括DC信号发生器，

所述DC信号发生器：

电连接到所述电极(1)和所述反电极(2)；

适于在使用时向所述电极(1)和所述反电极(2)施加基线DC电势，其中所述电极(1)的DC电势相对于所述反电极(2)的DC电势为正；以及

适于在使用时施加叠加在所述基线DC电势上的DC脉冲(33)的时序，

其中所述反电极的形状被配置为促使溅射材料或离子经由所述孔隙逸出，所述反电极的形状包括倾斜表面，且所述倾斜表面被配置为将离子或其它溅射材料的轨迹朝向将被涂覆或处理的衬底偏转。

2.根据权利要求1所述的离子源，其中所述基线DC电势在0和0.5kV之间。

3.根据权利要求2所述的离子源，其中所述基线DC电势基本上为0.3kV。

4.根据权利要求1所述的离子源，其中所述DC脉冲(33)的峰值电压在1Kv至3Kv之间。

5.根据权利要求4所述的离子源，其中所述DC脉冲(33)的峰值电压基本上为2kV。

6.根据权利要求1所述的离子源，其中所述DC脉冲或每个DC脉冲包括在其前沿或后沿处的过冲，所述过冲将各个脉冲的最大值增加到高至2.5kV；和/或所述过冲将各个脉冲的最小值减小到低至-1kV。

7.根据权利要求1所述的离子源，其中所述DC脉冲(33)的持续时间小于100ms。

8.根据权利要求7所述的离子源，其中所述DC脉冲(33)的持续时间基本上为80ms。

9.根据权利要求1所述的离子源，其中叠加在所述基线DC电势上的DC脉冲(33)的时序是周期性时序。

10.根据权利要求9所述的离子源，其中所述周期性时序是规则的周期性序列。

11.根据权利要求1所述的离子源，其中以5ms至10ms的间隔施加所述DC脉冲。

12.根据权利要求11所述的离子源，其中以基本上8.2ms的间隔，即122Hz施加所述DC脉冲。

13.根据权利要求1所述的离子源，其中所述DC脉冲的最大电势、周期性和持续时间是基本上固定的，或者是平均恒定的。

14.根据权利要求1所述的离子源，其中所述DC脉冲的最大电势、周期性和持续时间根据不同脉冲而变化，或根据不同的参数组之间的预定改变而变化。

15.根据权利要求1所述的离子源，其中每个脉冲的功率是基本上固定的。

16.根据权利要求1所述的离子源，其中每个脉冲的功率根据不同脉冲的电压和/或电流而变化。