[发明专利]贴合式SOI晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201680059158.3 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN108140553B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 橫川功 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/324;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贴合 soi 制造 方法 | ||
1.一种贴合式SOI晶圆的制造方法，自以单晶硅所构成的贴合晶圆的表面以氢离子或是惰性气体离子的至少一种气体离子进行离子注入而形成离子注入层，将该贴合晶圆经离子注入的表面与以单晶硅所构成的基底晶圆的表面直接或是透过绝缘膜贴合后，通过以该离子注入层使贴合晶圆剥离而制作于该基底晶圆上具有BOX层及SOI层的贴合式SOI晶圆，对于该贴合式SOI晶圆，在含有氩气的氛围下进行平坦化热处理后，进行调整该SOI层的膜厚度的牺牲氧化处理，其中，
使该通过剥离所制作的贴合式SOI晶圆中该BOX层的膜厚度为500nm以上，
对平坦化热处理之后该SOI层的最外周部呈悬垂状而残留的该贴合式SOI晶圆形成牺牲氧化膜，以使施加该牺牲氧化处理的该SOI层的膜厚度t与该牺牲氧化处理中所形成的该牺牲氧化膜的膜厚度d之间的关系，满足0.9d＞t＞0.45d。
2.如权利要求1所述的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中使该含有氩气的氛围为100％的氩气气体。
3.如权利要求1所述的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中于该基底晶圆形成500nm以上的硅氧化膜，将形成该硅氧化膜的基底晶圆与该贴合晶圆的经该离子注入的表面贴合后，通过以该离子注入层使贴合晶圆剥离而制作该BOX层的膜厚度在500nm以上的贴合式SOI晶圆。
4.如权利要求2所述的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中于该基底晶圆形成500nm以上的硅氧化膜，将形成该硅氧化膜的基底晶圆与该贴合晶圆的经该离子注入的表面贴合后，通过以该离子注入层使贴合晶圆剥离而制作该BOX层的膜厚度在500nm以上的贴合式SOI晶圆。
5.如权利要求1至4中任一项所述的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中于该牺牲氧化处理后的该SOI层的表面形成磊晶层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
