[发明专利]用于制备像素化闪烁体的方法在审
| 申请号: | 201680057782.X | 申请日: | 2016-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN108139490A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
| 发明(设计)人: | D·舍德洛克;J·斯达-拉克;R·梅德 | 申请(专利权)人: | 瓦里安医疗系统公司 |
| 主分类号: | G01T1/20 | 分类号: | G01T1/20;G01T1/161 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 张维 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素化 闪烁体 闪烁体材料 腔体 按压 闪烁体阵列 熔融状态 网状阵列 无定形 个壁 熔融 制备 冷却 制造 | ||
1.一种制造像素化闪烁体的方法,包括:
提供包括限定多个腔体的多个壁的网状阵列;
提供处于熔融状态的无定形闪烁体材料;
将处于所述熔融状态的所述无定形闪烁体材料引入到所述网状阵列的所述多个腔体中;以及
将所述网状阵列中的所述无定形闪烁体材料冷却以形成像素化闪烁体阵列。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述引入步骤包括将处于所述熔融状态的所述无定形闪烁体材料倾倒在所述网状阵列上,以使所述无定形闪烁体材料流动到所述多个腔体中。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述引入步骤包括将处于所述熔融状态的所述无定形闪烁体材料放置在所述网状阵列上,并将所述无定形闪烁体材料按压到所述多个腔体中。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述网状阵列由热膨胀系数基本上等于或小于所述闪烁体材料的热膨胀系数的材料构成。
5.如权利要求4所述的方法,其中所述网状阵列由熔化温度高于所述闪烁体材料的熔化温度的材料构成。
6.如权利要求5所述的方法,其中所述网状阵列由包括金属或金属合金的材料构成,所述金属或金属合金选自由以下项组成的组:铜镍合金、哈氏合金C、铬镍铁合金、铱、铁、蒙乃尔合金、钼、钢、钢碳合金、钽、钍、钛、钨、钒以及锆。
7.如权利要求5所述的方法,其中所述网状阵列由包括陶瓷的材料构成,所述陶瓷选自由以下项组成的组:HfB2、HfC、NfN、ZrB2、ZrC、ZrN、TiB2、TiC、TiN、TaB2、TaC、TaN以及SiC。
8.如权利要求5所述的方法,其中所述网状阵列由选自由以下项组成的组的材料构成:石墨、碳化硅以及氮化硼。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述网状阵列的所述多个壁涂覆有反射层。
10.如权利要求9所述的方法,其中所述反射层具有与由所述闪烁体材料发射的光的颜色基本上相匹配的颜色。
11.如权利要求9所述的方法,其中所述反射层包含TiO2。
12.如权利要求9所述的方法,其中所述反射层包括镜面反射物,所述镜面反射物选自由以下项组成的组:银、金以及铝。
13.如权利要求1所述的方法,其中所述无定形闪烁体材料包括掺入有氧化铽的硅酸盐玻璃或硼酸盐玻璃。
14.如权利要求1所述的方法,其中所述无定形闪烁体材料包括闪烁纳米球,所述闪烁纳米球具有显著小于由所述闪烁纳米球发射的光的波长的尺寸。
15.如权利要求1所述的方法,其中所述闪烁体材料包括掺入有闪烁掺杂剂材料的聚乙烯基甲苯。
16.如权利要求1所述的方法,其中由所述多个壁限定的所述多个腔体按多行和多列布置。
17.如权利要求16所述的方法,其中相邻行和/或列中的腔体交错布置。
18.如权利要求16所述的方法,其中所述多个腔体具有正方形、矩形、圆形、菱形或六边形的截面形状。
19.如权利要求16所述的方法,其中所述多个腔体限定范围为0.5mm至20mm的像素间距。
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