[发明专利]芯片分离装置与芯片分离方法有效
| 申请号: | 201680057311.9 | 申请日: | 2016-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN108140601B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 高允成 | 申请(专利权)人: | 普罗科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址: | 韩国京畿道安养市东安区市民大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 分离 装置 方法 | ||
1.一种芯片分离装置,其特征在于,用以分离黏着于胶带的半导体芯片,所述芯片分离装置包括:
推出罩,具备支持本体、吸附孔及推孔,所述支持本体支持将自所述胶带分离的所述半导体芯片外周的所述胶带的下表面,所述吸附孔以吸附与所述支持本体接触的部分的所述胶带的下表面的方式形成于所述支持本体的上表面,所述推孔以上下贯通所述支持本体的上表面的中央部的方式形成;
升降构件,具备升降本体、贯通孔及空腔,所述升降本体以插入至所述推出罩的推孔而上下升降的方式设置,以便通过所述推孔向上侧推顶通过所述推出罩的所述吸附孔传递的真空而吸附的所述胶带,所述贯通孔以上下贯通所述升降本体的上表面的中央部的方式形成,所述空腔以与所述贯通孔相通的方式形成至所述升降本体;
弹性构件,填充设置至所述升降构件的所述空腔,以便通过所述贯通孔凸出地弹性变形而连同所述半导体芯片一并推顶所述胶带;
加压构件,以与所述升降构件的所述空腔的内周形状对应的方式形成,以便对所述弹性构件施加压力而使所述弹性构件弹性变形,以相对于所述空腔进退的方式设置至所述升降本体;以及
拾取头,配置至所述推出罩的上侧,吸附将通过所述弹性构件推顶的所述半导体芯片而使所述半导体芯片上升来分离所述半导体芯片,
其中所述升降构件还包括卡止部,所述卡止部以向所述贯通孔的内侧突出的方式形成至所述贯通孔的上部,而所述弹性构件与所述卡止部的形状对应地形成阶差,以便防止弹性变形而向所述贯通孔的上侧突出的所述弹性构件向外部脱离。
2.根据权利要求1所述的芯片分离装置,其中所述推出罩的所述吸附孔沿所述推孔的外周排列而形成多个,多个所述吸附孔于所述半导体芯片的外周吸附所述胶带。
3.根据权利要求1所述的芯片分离装置,其中在通过所述升降构件及所述弹性构件而推顶所述半导体芯片时,所述拾取头以吸附所述半导体芯片的状态使所述半导体芯片上升而自所述胶带分离所述半导体芯片。
4.根据权利要求1所述的芯片分离装置,其中与所述胶带接触的所述弹性构件的外表面由黏着性材质形成。
5.根据权利要求1所述的芯片分离装置,其中所述弹性构件于未施加外部压力的状态下,凹陷地形成接触面。
6.一种芯片分离方法,其特征在于,用以分离黏着于胶带的半导体芯片,所述芯片分离方法包括:
(a)在推出罩上配置有所述胶带的状态下,通过形成在所述推出罩的上表面的多个吸附孔吸附将自所述胶带分离的所述半导体芯片的外周的所述胶带的下表面的步骤;
(b)使插入于形成在所述推出罩的中央部的推孔的升降构件上升而推顶与所述升降构件接触的所述胶带的步骤;
(c)利用以与空腔的内周形状对应的方式形成且以相对于所述空腔进退的方式设置的加压构件对填充于以与形成在所述升降构件的中央部的贯通孔相通的方式形成的空腔的弹性构件施加压力而使所述弹性构件向上侧凸出地弹性变形,藉此使所述半导体芯片周围的所述胶带与所述半导体芯片分离的步骤,
其中所述升降构件还包括卡止部,所述卡止部以向所述贯通孔的内侧突出的方式形成至所述贯通孔的上部,而所述弹性构件与所述卡止部的形状对应地形成阶差,以便防止弹性变形而向所述贯通孔的上侧突出的所述弹性构件向外部脱离;
(d)使配置在所述推出罩的上侧的拾取头下降而吸附所述半导体芯片的上表面的步骤;以及
(e)使在所述(d)步骤中吸附所述半导体芯片的所述拾取头上升而自所述胶带分离所述半导体芯片的步骤。
7.根据权利要求6所述的芯片分离方法,其中于执行所述(a)步骤后,执行所述(d)步骤,
在执行所述(b)步骤及所述(c)步骤的期间,所述(e)步骤与所述推出罩及所述弹性构件的作动同步而通过所述拾取头使所述半导体芯片上升。
8.根据权利要求6所述的芯片分离方法,其中于执行所述(a)步骤及所述(b)步骤后,执行所述(d)步骤,
在执行所述(c)步骤的期间,所述(e)步骤与所述弹性构件的作动同步而通过所述拾取头使所述半导体芯片上升。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





