[发明专利]SiC单晶锭

权利要求书

1.一种SiC单晶锭，是在籽晶上具备SiC单晶的SiC单晶锭，其特征在于，

锭顶端的晶体生长端面具有凸面形状，

将该锭的籽晶侧底面设为零，并将从该锭侧面向内侧移动该锭直径的10％的位置的晶体生长端面的高度设为1，从锭的高度方向上的相对高度至少处于0.2～0.8的范围内的部分任意切取SiC单晶基板，此时，在该基板表面观察到的基面位错密度为1000个/cm²以下，且穿透螺旋位错密度为500个/cm²以下，并且，在该基板的中心部测定的拉曼位移值(A)与在周边部测定的拉曼位移值(B)之差(A-B)即拉曼指数为0.20以下。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶锭，其特征在于，将所述锭的籽晶侧底面设为零，并将从所述锭侧面向内侧移动所述锭直径的10％的位置的晶体生长端面的高度设为1，从锭的高度方向上的相对高度至少处于0.2～0.9的范围内的部分任意切取SiC单晶基板，此时，在该基板表面观察到的基面位错密度为1000个/cm²以下，且穿透螺旋位错密度为500个/cm²以下，并且，在该基板的中心部测定的拉曼位移值(A)与在周边部测定的拉曼位移值(B)之差(A-B)即拉曼指数为0.20以下。

3.根据权利要求1所述的SiC单晶锭，其特征在于，将所述锭的籽晶侧底面设为零，并将从所述锭侧面向内侧移动所述锭直径的10％的位置的晶体生长端面的高度设为1，从锭的高度方向上的相对高度至少处于0.2～0.8的范围内的部分任意切取SiC单晶基板，此时，在该基板表面观察到的基面位错密度为500个/cm²以下，且穿透螺旋位错密度300个/cm²以下，并且，在该基板的中心部测定的拉曼位移值(A)与在周边部测定的拉曼位移值(B)之差(A-B)即拉曼指数为0.15以下。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的SiC单晶锭，其特征在于，将所述锭的籽晶侧底面设为零，并将从所述锭侧面向内侧移动所述锭直径的10％的位置的晶体生长端面的高度设为1，从锭的高度方向上的相对高度至少处于0.2～0.9的范围内的部分任意切取SiC单晶基板，此时，在该基板表面观察到的基面位错密度为500个/cm²以下，且穿透螺旋位错密度为300个/cm²以下，并且，在该基板的中心部测定的拉曼位移值(A)与在周边部测定的拉曼位移值(B)之差(A-B)即拉曼指数为0.15以下。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的SiC单晶锭，其特征在于，具有能够得到口径为4英寸以上且低于6英寸的SiC单晶基板的大小。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的SiC单晶锭，其特征在于，具有能够得到口径为6英寸以上的SiC单晶基板的大小。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的SiC单晶锭，其特征在于，在所述基板表面观察到的基面位错密度与穿透螺旋位错密度的合计为1000个/cm²以下。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的SiC单晶锭，其特征在于，实质上具有单一多型。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的SiC单晶锭，其特征在于，锭高度位置的晶体生长端面的中心点O、和从锭侧面向内侧移动直径的10％的位置的晶体生长端面上的外周点E的高度之差(O-E)为1mm～7mm。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的SiC单晶锭，其特征在于，锭高度为25mm以上。