[发明专利]基板及处理基板的方法

权利要求书

1.一种处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

提供基板，所述基板具有聚合物介电层、形成在所述聚合物介电层内的金属焊垫及形成在所述聚合物介电层的顶上的第一金属层；

在所述基板的顶上沉积聚合物层；

将所述聚合物层图案化，以将多个开口形成至所述第一金属层的顶表面上，其中所述多个开口包括最靠近所述金属焊垫所形成的第一开口；

在所述聚合物层的顶上且在所述聚合物层中所形成的所述多个开口内沉积第一阻障层；

在所述第一阻障层的顶上且在所述聚合物层中所形成的所述多个开口内沉积介电层；

从所述第一开口内及所述聚合物层的场区蚀刻所述介电层及所述第一阻障层；

在所述基板的顶上沉积第二阻障层；

在所述基板的顶上沉积第二金属层，其中所述第二金属层填充所述多个开口；及

从所述聚合物层的所述场区的一部分蚀刻所述第二金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板为硅、玻璃、陶瓷或电介质中的一者。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述金属焊垫为铜。

4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的方法，其中所述第一金属层或所述第二金属层中的至少一者为铜层或铝层。

5.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的方法，其中所述聚合物介电层为聚酰亚胺或聚苯并恶唑。

6.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的方法，其中所述聚合物层为聚苯并恶唑(PBO)层、聚酰亚胺层、苯并环丁烯(BCB)层、环氧树脂层或感光材料层中的一者。

7.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的方法，其中所述第一阻障层为钛。

8.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的方法，其中所述介电层为二氧化铪(HfO₂)、氮化硅(Si₃N₄)或氧化钽(Ta₂O₅)。

9.一种处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

提供基板，所述基板具有图案化的聚合物介电层，所述图案化的聚合物介电层包括多个开口；

在所述图案化的聚合物介电层的顶上并且在所述多个开口内沉积第一阻障层，其中沿着所述多个开口的侧壁及所述多个开口的底部沉积所述第一阻障层；

在所述第一阻障层的顶上沉积介电层；

在所述介电层的顶上沉积第二阻障层；及

在所述图案化的聚合物介电层的场区的一部分的顶上沉积金属焊垫。

10.如权利要求9所述的方法，其中以下各项中的至少一项：

所述基板为硅、玻璃、陶瓷或电介质中的一者；

所述金属焊垫为铜；

所述图案化的聚合物介电层为聚苯并恶唑(PBO)层、聚酰亚胺层、苯并环丁烯(BCB)层、环氧树脂层或感光材料层中的一者；

其中所述第一阻障层为钛；或

所述介电层为二氧化铪(HfO₂)、氮化硅(Si₃N₄)或氧化钽(Ta₂O₅)中的一者。