[发明专利]流体杀菌装置

权利要求书

1.一种流体杀菌装置，其特征在于，包括：

光源，其具有射出紫外线的半导体发光元件，

壳体，其形成供作为杀菌对象的流体通过的流路，

受光部，其接收从上述光源射出的紫外线的一部分，并检测接收到的紫外线的光量，以及

控制部，其基于从上述受光部取得的紫外线的光量的信息来控制上述半导体发光元件的输出；

上述壳体具有供紫外线入射的入射部、以及在内表面反射紫外线的反射部；

上述反射部由使紫外线的一部分透射的材料构成；上述反射部由波长为285nm的紫外线的漫反射率在78.5～95.4％的范围内、且波长为285nm的紫外线的漫透射率在0.6～13.1％的范围内的材料构成；

上述受光部被设置在能够接收到透过所述反射部的一部分紫外线的位置上。

2.如权利要求1所述的流体杀菌装置，其特征在于，上述受光部被配置在夹着上述反射部地与上述入射部相反侧的区域中。

3.如权利要求1～2的任何一项所述的流体杀菌装置，其特征在于，上述反射部为部分地具有非晶质晶体构造的聚四氟乙烯PTFE。

4.如权利要求1～2的任何一项所述的流体杀菌装置，其特征在于，上述反射部的厚度在1～20mm的范围内。

5.如权利要求3所述的流体杀菌装置，其特征在于，上述反射部的厚度在1～20mm的范围内。

6.如权利要求1-2的任何一项所述的流体杀菌装置，其特征在于，上述半导体发光元件发出峰值发光波长在250nm～350nm的范围内的紫外线。

7.如权利要求3所述的流体杀菌装置，其特征在于，上述半导体发光元件发出峰值发光波长在250nm～350nm的范围内的紫外线。

8.如权利要求4所述的流体杀菌装置，其特征在于，上述半导体发光元件发出峰值发光波长在250nm～350nm的范围内的紫外线。

9.如权利要求5所述的流体杀菌装置，其特征在于，上述半导体发光元件发出峰值发光波长在250nm～350nm的范围内的紫外线。

10.如权利要求1～2的任何一项所述的流体杀菌装置，其特征在于，

上述壳体具有：

筒状的杀菌室，其具有上述反射部，以及

流体的流入口及流体的流出口，其被设置在相对于上述杀菌室的长度方向交叉的方向上；

上述光源被配置在上述杀菌室的长度方向的两端中的至少一者的外侧；

上述入射部被设置在上述光源与上述杀菌室之间。

11.如权利要求3所述的流体杀菌装置，其特征在于，

上述壳体具有：

筒状的杀菌室，其具有上述反射部，以及

流体的流入口及流体的流出口，其被设置在相对于上述杀菌室的长度方向交叉的方向上；

上述光源被配置在上述杀菌室的长度方向的两端中的至少一者的外侧；

上述入射部被设置在上述光源与上述杀菌室之间。

12.如权利要求4所述的流体杀菌装置，其特征在于，

上述壳体具有：

筒状的杀菌室，其具有上述反射部，以及

流体的流入口及流体的流出口，其被设置在相对于上述杀菌室的长度方向交叉的方向上；

上述光源被配置在上述杀菌室的长度方向的两端中的至少一者的外侧；

上述入射部被设置在上述光源与上述杀菌室之间。