[发明专利]粘结接合结构有效
| 申请号： | 201680054775.4 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108028206B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 上郡山洋一;山内真一 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B22F7/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粘结 接合 结构 | ||
1.一种粘结接合结构，其是将作为发热体的半导体元件的芯片和金属的支撑体经由由铜粉的烧结体形成的接合部位来接合而成的粘结接合结构，其中，所述支撑体至少在其最表面存在有铜，以跨越所述支撑体与所述烧结体的接合界面的方式形成有该支撑体的铜与该烧结体的铜的相互扩散部位，在所述相互扩散部位以跨越所述接合界面的方式形成有晶体取向为同方向的铜的晶体结构。
2.根据权利要求1所述的粘结接合结构，其中，晶体取向为同方向的铜的所述晶体结构在所述接合界面处的横截长度为10nm以上。
3.一种粘结接合结构，其是将作为发热体的半导体元件的芯片和金属的支撑体经由由铜粉的烧结体形成的接合部位来接合而成的粘结接合结构，其中，所述支撑体至少在其最表面存在有金，以跨越所述支撑体与所述烧结体的接合界面的方式形成有该支撑体的金与该烧结体的铜的相互扩散部位，其中，所述相互扩散部位包含Cu3Au。
4.根据权利要求3所述的粘结接合结构，其中，所述相互扩散部位包含Cu3Au、以及金和铜的固溶体。
5.一种粘结接合结构，其是将作为发热体的半导体元件的芯片和金属的支撑体经由由铜粉的烧结体形成的接合部位来接合而成的粘结接合结构，其中，所述支撑体至少在其最表面存在有铜或金，以跨越所述支撑体与所述烧结体的接合界面的方式形成有该支撑体的铜或金与该烧结体的铜的相互扩散部位，其中，在所述芯片的下表面形成有金的层，以跨越所述芯片与所述烧结体的接合界面的方式形成有金与该烧结体的铜的相互扩散部位，所述相互扩散部位包含Cu3Au。
6.根据权利要求5所述的粘结接合结构，其中，所述相互扩散部位包含Cu3Au、以及金和铜的固溶体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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